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IXFH80N65X2

更新时间： 2024-11-19 14:57:11

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力特 - LITTELFUSE		栅二极管栅极
页数	文件大小	规格书
7页	908K
描述
这些新型器件采用电荷补偿原理和专有工艺技术开发，具有最低的导通电阻，以及低栅极电荷和卓越的dv/dt性能。其雪崩能力也增强了器件的强度。此外，借助快速软恢复体二极管，超级结MOSFET有助于

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IXFH80N65X2 数据手册

X2-Class HiPerFET^TM

Power MOSFET

V_DSS= 650V

I_D25= 80A

R_DS(on) 38m

IXFH80N65X2

IXFK80N65X2

TO-247

(IXFH)

N-Channel Enhancement Mode

Avalanche Rated

Fast Intrinsic Diode

D (Tab)

TO-264

(IXFK)

Symbol

V_DSS

Test Conditions

Maximum Ratings

T_J= 25C to 150C

650

V_DGR

T_J= 25C to 150C, R_GS= 1M

V_GSS

V_GSM

Continuous

Transient

30

40

D (Tab)

D = Drain

I_D25

I_DM

T_C= 25C

T_C= 25C, Pulse Width Limited by T_JM

160

G = Gate

S = Source

Tab = Drain

I_A

T_C= 25C

E_AS

dv/dt

P_D

I_S I_DM, V_DD V_DSS, T_J 150°C

T_C= 25C

V/ns

890

Features

T_J

-55 ... +150

150

C

T_JM

T_stg



International Standard Packages

Low R_DS(ON)and Q_G

-55 ... +150



Avalanche Rated

T_L

T_SOLD

Maximum Lead Temperature for Soldering

1.6 mm (0.062in.) from Case for 10s

300

260

°C

Low Package Inductance

M_d

Mounting Torque

1.13 / 10

Nm/lb.in

Weight

TO-247

TO-264

Advantages



High Power Density

Easy to Mount

Space Savings



Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

(T_J= 25C, Unless Otherwise Specified)

Min.

Typ.

Max.

BV_DSS

V_GS(th)

I_GSS

V_GS= 0V, I_D= 1mA

V_DS= V_GS, I_D= 4mA

V_GS= 30V, V_DS= 0V

V_DS= V_DSS, V_GS= 0V

650

Applications

3.5

5.0



Switch-Mode and Resonant-Mode

100 nA

Power Supplies

DC-DC Converters

PFC Circuits

AC and DC Motor Drives



I_DSS

50 A

3 mA



T_J= 125C



Robotics and Servo Controls

R_DS(on)

V_GS= 10V, I_D= 0.5 • I_D25, Note 1

38 m

DS100673E(2/20)

12 3 4 5 6 7

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