是否无铅: | 不含铅 | 生命周期: | Transferred |
Reach Compliance Code: | unknown | 风险等级: | 4.28 |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IXFH80N60X2A | LITTELFUSE |
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Power Field-Effect Transistor, | |
IXFH80N65X2 | IXYS |
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Power Field-Effect Transistor, | |
IXFH80N65X2 | LITTELFUSE |
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这些新型器件采用电荷补偿原理和专有工艺技术开发,具有最低的导通电阻,以及低栅极电荷和卓越的 | |
IXFH80N65X2-4 | IXYS |
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Power Field-Effect Transistor, | |
IXFH80N65X2-4 | LITTELFUSE |
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Power Field-Effect Transistor, | |
IXFH86N30T | IXYS |
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Trench HiperFET Power MOSFET | |
IXFH86N30T | LITTELFUSE |
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沟槽栅功率MOSFET适用于低电压/高电流应用,所需的RDS(on)极低,因此确保了非常低 | |
IXFH88N20Q | IXYS |
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HiPerFET Power MOSFETs | |
IXFH88N30P | IXYS |
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Polar HiPerFET Power MOSFET | |
IXFH88N30P | LITTELFUSE |
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功能与特色: 优点: 应用: |