Datasheet > IXFH80N25X3

IXFH80N25X3

更新时间： 2024-09-26 21:06:27

品牌	Logo	应用领域
IXYS		/
页数	文件大小	规格书
6页	254K
描述
Power Field-Effect Transistor,

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

IXFH80N25X3 技术参数

是否无铅：	不含铅	生命周期：	Transferred
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	4.28
Base Number Matches：	1

IXFH80N25X3 数据手册

Preliminary Technical Information

X3-Class HiPerFET^TM

Power MOSFET

V_DSS= 250V

I_D25= 80A

R_DS(on)d 16m:

IXFA80N25X3

IXFP80N25X3

IXFQ80N25X3

IXFH80N25X3

TO-263 AA (IXFA)

N-Channel Enhancement Mode

Avalanche Rated

Fast Intrinsic Diode

D (Tab)

TO-220AB (IXFP)

Symbol

V_DSS

Test Conditions

Maximum Ratings

D (Tab)

T_J= 25qC to 150qC

250

TO-3P (IXFQ)

V_DGR

T_J= 25qC to 150qC, R_GS= 1M:

V_GSS

V_GSM

Continuous

Transient

r20

r30

I_D25

I_DM

T_C= 25qC

T_C= 25qC, Pulse Width Limited by T_JM

220

D (Tab)

I_A

T_C= 25qC

TO-247 (IXFH)

E_AS

1.2

dv/dt

P_D

I_Sd I_DM, V_DDd V_DSS, T_Jd 150°C

T_C= 25qC

V/ns

390

D (Tab)

T_J

-55 ... +150

150

T_JM

T_stg

G = Gate

S = Source

= Drain

-55 ... +150

Tab = Drain

Features

T_L

T_SOLD

Maximum Lead Temperature for Soldering

1.6 mm (0.062in.) from Case for 10s

300

260

°C

International Standard Packages

Low R_DS(ON)and Q_G

Avalanche Rated

F_C

M_d

Mounting Force (TO-263)

Mounting Torque (TO-220, TO-247 & TO-3P)

10..65 / 2.2..14.6

N/lb

Nm/lb.in

1.13 / 10

Weight

TO-263

TO-220

TO-3P

2.5

3.0

5.5

6.0

Low Package Inductance

TO-247

Advantages

High Power Density

Easy to Mount

Space Savings

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

(T_J= 25qC, Unless Otherwise Specified)

Min.

Typ.

Max.

BV_DSS

V_GS(th)

I_GSS

V_GS= 0V, I_D= 250zA

V_DS= V_GS, I_D= 1.5mA

V_GS= r20V, V_DS= 0V

V_DS= V_DSS, V_GS= 0V

250

2.5

4.5

Applications

ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀr100 nA

Switch-Mode and Resonant-Mode

Power Supplies

DC-DC Converters

PFC Circuits

AC and DC Motor Drives

I_DSS

T_J= 125qC

350 PA

R_DS(on)

V_GS= 10V, I_D= 0.5 • I_D25, Note 1

16 m:

Robotics and Servo Controls

DS100753B(6/17)

12 3 4 5 6

中文翻译

下载PDF

与IXFH80N25X3相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXFH80N60X2A	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IXFH80N65X2	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IXFH80N65X2	LITTELFUSE	获取价格	这些新型器件采用电荷补偿原理和专有工艺技术开发，具有最低的导通电阻，以及低栅极电荷和卓越的
IXFH80N65X2-4	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IXFH80N65X2-4	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IXFH86N30T	IXYS	获取价格	Trench HiperFET Power MOSFET
IXFH86N30T	LITTELFUSE	获取价格	沟槽栅功率MOSFET适用于低电压/高电流应用，所需的RDS(on)极低，因此确保了非常低
IXFH88N20Q	IXYS	获取价格	HiPerFET Power MOSFETs
IXFH88N30P	IXYS	获取价格	Polar HiPerFET Power MOSFET
IXFH88N30P	LITTELFUSE	获取价格	功能与特色: 优点: 应用: