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IXFH88N20Q

更新时间： 2024-11-21 11:14:03

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描述
HiPerFET Power MOSFETs

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IXFH88N20Q 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Transferred	零件包装代码：	TO-247AD
包装说明：	PLASTIC PACKAGE-3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.76	其他特性：	AVALANCHE RATED
雪崩能效等级（Eas）：	2500 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	200 V
最大漏极电流 (ID)：	88 A	最大漏源导通电阻：	0.03 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-247AD
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	352 A	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

IXFH88N20Q 数据手册

HiPerFET^TM

Power MOSFETs

IXFH 88N20Q

IXFK 88N20Q

IXFX 88N20Q

V_DSS= 200 V

I_D25= 88 A

R_DS(on)= 30 mΩ

≤ 200 ns

t_rr

N-ChannelEnhancementMode

AvalancheRated, Highdv/dt, LowQ_g

Preliminary data sheet

Symbol

TestConditions

Maximum Ratings

TO-247 AD (IXFH)

V_DSS

V_DGR

T_J= 25°C to 150°C

T_J= 25°C to 150°C; R_GS= 1 MΩ

200

V_GS

V_GSM

Continuous

Transient

±30

±40

D (TAB)

TO-264 AA (IXFK)

I_D25

I_DM

I_AR

T_C= 25°C

T_C= 25°C, pulse width limited by T_JM

T_C= 25°C

352

E_AR

E_AS

T_C= 25°C

2.5

D (TAB)

dv/dt

I_S≤ I_DM, di/dt ≤ 100 A/µs, V_DD≤ V_DSS

T_J≤ 150°C, R_G= 2 Ω

V/ns

PLUS 247^TM(IXFX)

P_D

T_C= 25°C

500

T_J

T_JM

T_stg

-55 ... +150

150

-55 ... +150

°C

D (TAB)

T_L

1.6 mm (0.063 in) from case for 10 s

300

°C

G = Gate

S = Source

M_d

Mounting torque

TO-247

TO-264

1.13/10 Nm/lb.in.

0.9/6 Nm/lb.in.

TAB = Drain

Weight

Symbol

TO-247, PLUS 247

TO-264

Features

^zLow gate charge

^zInternational standard packages

TestConditions

Characteristic Values

(T_J= 25°C, unless otherwise specified)

min. typ. max.

Epoxy meet UL 94 V-0, flammability

classification

^zLow R_{DS (on)}HDMOS^TMprocess

^zRugged polysilicon gate cell structure

^zAvalanche energy and current rated

^zFast intrinsic Rectifier

V_DSS

V_GS= 0 V, I_D= 250 uA

V_DS= V_GS, I_D= 4 mA

200

2.0

V_GS(th)

4.0

I_GSS

I_DSS

V_GS= ±20 V DC, V_DS= 0

±100 nA

25 µA

Advantages

V_DS= V_DSS

V_GS= 0 V

T_J= 25°C

T_J= 125°C

Easy to mount

Space savings

High power density

R_DS(on)

V_GS= 10 V, I_D= 0.5 • I_D25

30 mΩ

Pulse test, t ≤ 300 µs, duty cycle d ≤ 2 %

DS98969A(03/03)

12 3 4

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