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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IXFH9N80 | IXYS |
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HiPerFET Power MOSFETs - N-Channel Enhancement Mode High dv/dt, Low trr, HDMOSTM Family |
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| IXFH9N80 | LITTELFUSE |
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功能与特色: 应用: 优点: |
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| IXFH9N80Q | IXYS |
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HiPerFET Power MOSFETs Q-Class |
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| IXFH9N80S | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 800V V(BR)DSS | 9A I(D) | TO-247SMD |
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| IXFHN100 | IXYS |
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HiPerFET Power MOSFETs |
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| IXFHT24N50 | IXYS |
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HiPerFET Power MOSFETs |
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| IXFI7N80P | LITTELFUSE |
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Power Field-Effect Transistor, 7A I(D), 800V, 1.44ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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| IXFI7N80P | IXYS |
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Power Field-Effect Transistor, 7A I(D), 800V, 1.44ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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| IXFJ13N50 | IXYS |
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HiPerFET Power MOSFETs |
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| IXFJ20N85X | LITTELFUSE |
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采用快速体二极管的超级结X-Class功率MOSFET是坚固耐用的器件，具有业内最低的导通 |
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解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
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国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
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