IXFK120N20

更新时间： 2024-01-03 16:39:26

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HiPerFET Power MOSFETs

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IXFK120N20 技术参数

是否无铅：	不含铅	生命周期：	Transferred
零件包装代码：	TO-264AA	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	8.32
Is Samacsys：	N	其他特性：	AVALANCHE RATED
雪崩能效等级（Eas）：	2000 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	200 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	120 A	最大漏极电流 (ID)：	120 A
最大漏源导通电阻：	0.022 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-264AA	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
JESD-609代码：	e1	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	175 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	714 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	300 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	NO	端子面层：	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

IXFK120N20 数据手册

HiPerFET^TM

Power MOSFETs

IXFX 120N20

IXFK 120N20

V_DSS= 200 V

I_D25= 120 A

R_DS(on)= 17 mW

Single MOSFET Die

t_rr£ 250 ns

Preliminary data sheet

PLUS 247^TM(IXFX)

Symbol

TestConditions

MaximumRatings

V_DSS

V_DGR

T_J= 25°C to 150°C

T_J= 25°C to 150°C; R_GS= 1 MW

200

V_GS

V_GSM

Continuous

Transient

±20

±30

(TAB)

I_D25

I_D104

I_DM

T_C= 25°C (MOSFET chip capability)

T_C= 104°C (External lead capability)

T_C= 25°C, pulse width limited by T_JM

T_C= 25°C

120

480

120

TO-264 AA (IXFK)

I_AR

E_AR

E_AS

T_C= 25°C

(TAB)

dv/dt

I_S£ I_DM, di/dt £ 100 A/ms, V_DD£ V_DSS

T_J£ 150°C, R_G= 2 W

V/ns

G = Gate

S = Source

D = Drain

TAB = Drain

P_D

T_J

T_C= 25°C

560

-55 ... +150

°C

T_JM

T_stg

150

-55 ... +150

°C

Features

• Internationalstandardpackages

• Low R_{DS (on)}HDMOS^TMprocess

• Ruggedpolysilicongatecellstructure

• UnclampedInductiveSwitching(UIS)

rated

• Lowpackageinductance

- easy to drive and to protect

• Fastintrinsicrectifier

T_L

1.6 mm (0.063 in.) from case for 10 s

300

°C

M_d

Mountingtorque

TO-264

0.9/6 Nm/lb.in.

Weight

PLUS 247

TO-264

Applications

• DC-DC converters

• Batterychargers

• Switched-modeandresonant-mode

powersupplies

• DC choppers

• ACmotorcontrol

Symbol

TestConditions

CharacteristicValues

(T_J= 25°C, unless otherwise specified)

min. typ. max.

V_DSS

V_GS(th)

I_GSS

V_GS= 0 V, I_D= 3mA

V_DS= V_GS, I_D= 8mA

V_GS= ±20 V, V_DS= 0

200

2.0

4.0 V

• Temperatureandlightingcontrols

±200nA

Advantages

I_DSS

V_DS= V_DSS

V_GS= 0 V

T_J= 25°C

T_J= 125°C

100 mA

2 mA

• PLUS 247^TMpackage for clip or spring

mounting

R_DS(on)

V_GS= 10 V, I_D= 0.5 • I_D25

Note 1

17 mW

• Space savings

• Highpowerdensity

IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.

98636(7/99)

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