IXFH9N80Q

更新时间： 2024-11-17 22:26:11

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描述
HiPerFET Power MOSFETs Q-Class

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IXFH9N80Q 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Lifetime Buy	零件包装代码：	TO-247
包装说明：	TO-247, 3 PIN	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.7
其他特性：	AVALANCHE RATED	雪崩能效等级（Eas）：	700 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	800 V	最大漏极电流 (ID)：	9 A
最大漏源导通电阻：	1.1 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-247	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	36 A	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

IXFH9N80Q 数据手册

HiPerFET^TM

Power MOSFETs

Q-Class

IXFH 9N80Q V_DSS

IXFT 9N80Q I_D25

= 800 V

9 A

= 1.1 Ω

R_DS(on)

t ≤ 250 ns

N-ChannelEnhancementMode

AvalancheRatedLowQ_g,Highdv/dt

Symbol

TestConditions

Maximum Ratings

TO-247AD(IXFH)

V_DSS

V_DGR

T_J= 25°C to 150°C

800

T_J= 25°C to 150°C; R_GS= 1 MΩ

V_GS

Continuous

Transient

±20

±30

V_GSM

I_D25

I_DM

T_C= 25°C

T_C= 25°C,

pulse width limited by T_JM

T_C= 25°C

TO-268 (D3) ( IXFT)

I_AR

700

E_AR

E_AS

dv/dt

T_C= 25°C

(TAB)

I_S≤ I_DM, di/dt ≤ 100 A/µs, V_DD≤ V_DSS

T_J≤ 150°C, R_G= 2 Ω

V/ns

P_D

T_C= 25°C

180

G = Gate

S = Source

= Drain

T_J

-55 ... +150

150

°C

TAB = Drain

T_JM

T_stg

-55 ... +150

T_L

1.6 mm (0.063 in) from case for 10 s

Mounting torque

300

°C

M_d

1.13/10

Nm/lb.in.

Features

Weight

TO-247

TO-268

IXYS advanced low Q_gprocess

Low gate charge and capacitances

- easier to drive

- faster switching

International standard packages

Low R_{DS (on)}

Unclamped Inductive Switching (UIS)

rated

Symbol

TestConditions

Characteristic Values

(T_J= 25°C, unless otherwise specified)

min.

typ.

max.

V_DSS

V_GS= 0 V, I_D= 1 mA

V_DS= V_GS, I_D= 2.5 mA

800

V_GS(th)

3.0

5.0

Molding epoxies meet UL 94 V-0

flammability classification

I_GSS

V_GS= ±20 V_DC, V_DS= 0

±100

Advantages

I_DSS

V_DS= 0.8 V_DSS

V_GS= 0 V

T_J= 25°C

T_J= 125°C

µA

Easy to mount

Space savings

High power density

R_DS(on)

V_GS= 10 V, I_D= 0.5 I_D25

Pulse test, t ≤ 300 µs, duty cycle d ≤ 2 %

1.1

Ω

98629 (6/99)

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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