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IXFK120N20P

更新时间： 2023-12-06 20:13:09

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力特 - LITTELFUSE		/
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IXFK120N20P 数据手册

Polar^TMHiPerFET^TM

Power MOSFET

V_DSS= 200V

I_D25= 120A

R_DS(on)≤ 22mΩ

IXFH120N20P

IXFK120N20P

t_rr

≤ 200ns

N-Channel Enhancement Mode

Avalanche Rated

Fast Intrinsic Diode

TO-247 (IXFH)

Symbol

Test Conditions

Maximum Ratings

V_DSS

V_DGR

T_J= 25°C to 175°C

T_J= 25°C to 175°C, R_GS= 1MΩ

200

V_GSS

V_GSM

Continuous

Transient

± 20

± 30

Tab

TO-264 (IXFK)

I_D25

I_LRMS

I_DM

T_C= 25°C

Lead Current Limit, RMS

T_C= 25°C, Pulse Width Limited by T_JM

120

300

I_A

E_AS

T_C= 25°C

P_D

T_C= 25°C

714

Tab

dV/dt

I_S≤ I_DM, V_DD≤ V_DSS, T_J≤ 175°C

V/ns

G = Gate

S = Source

= Drain

Tab = Drain

T_J

T_JM

T_stg

-55 ... +175

175

-55 ... +175

°C

Features

T_L

T_SOLD

1.6mm (0.062 in.) from Case for 10s

Plastic Body for 10s

300

260

°C

^zInternational Standard Packages

^zAvalanche Rated

M_d

Mounting Torque

1.13/10

Nm/lb.in.

^zFast Intrinsic Diode

^zLow Q_G

^zLow R_DS(on)

Weight

TO-247

TO-264

^zLow Drain-to-Tab Capacitance

^zLow Package Inductance

Advantages

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

Easy to Mount

Space Savings

(T_J= 25°C Unless Otherwise Specified)

Min.

Typ.

Max.

BV_DSS

V_GS(th)

I_GSS

V_GS= 0V, I_D= 250μA

V_DS= V_GS, I_D= 4mA

V_GS= ± 20V, V_DS= 0V

V_DS= V_DSS, V_GS= 0V

200

Applications

2.5

5.0

^zDC-DC Coverters

^zBattery Chargers

± 200 nA

^zSwitch-Mode and Resonant-Mode

Power Supplies

I_DSS

25 μA

500 μA

T_J= 150°C

^zDC Choppers

^zAC and DC Motor Drives

^zUninterrupted Power Supplies

^zHigh Speed Power Switching

Applications

R_DS(on)

V_GS= 10V, I_D= 0.5 • I_D25, Note 1

22 mΩ

DS99223F(02/10)

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