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IXFJ13N50

更新时间： 2024-11-17 23:13:35

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IXYS		晶体晶体管开关脉冲局域网
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描述
HiPerFET Power MOSFETs

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IXFJ13N50 技术参数

是否无铅：	不含铅	生命周期：	Transferred
零件包装代码：	TO-268AA	包装说明：	IN-LINE, R-PSIP-T3
针数：	4	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.76	其他特性：	AVALANCHE RATED
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	500 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	13 A
最大漏极电流 (ID)：	13 A	最大漏源导通电阻：	0.4 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-268AA
JESD-30 代码：	R-PSIP-T3	JESD-609代码：	e3
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	IN-LINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	180 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	52 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	NO
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

IXFJ13N50 数据手册

HiPerFET^TM

IXFJ 13N50 V_DSS

= 500 V

Power MOSFETs

I_{D (cont)}= 13 A

R_DS(on)= 0.4 W

N-Channel Enhancement Mode

High dv/dt, Low t_rr, HDMOS^TMFamily

t_rr

£ 250 ns

Symbol

TestConditions

MaximumRatings

V_DSS

V_DGR

T_J= 25°C to 150°C

500

T_J= 25°C to 150°C; R_GS= 1 MW

(TAB)

V_GS

Continuous

Transient

±20

±30

V_GSM

I_D25

I_DM

I_AR

T_C= 25°C

G = Gate,

S = Source,

D = Drain,

TAB = Drain

T_C= 25°C, pulse width limited by T_JM

T_C= 25°C

E_AR

T_C= 25°C

Features

dv/dt

I_S£ I_DM, di/dt £ 100 A/ms, V_DD£ V_DSS

T_J£ 150°C, R_G= 2 W

V/ns

• Low profile, high power package

• Long creep and strike distances

• Easy up-grade path for TO-220

designs

P_D

T_C= 25°C

180

T_J

-55 ... +150

150

°C

• Low R_{DS (on)}HDMOS^TMprocess

• Rugged polysilicon gate cell structure

• Unclamped Inductive Switching (UIS)

rated

T_JM

T_stg

-55 ... +150

T_L

1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s

300

°C

• Low package inductance

- easy to drive and to protect

• Fast intrinsic Rectifier

Weight

Applications

• DC-DC converters

• Synchronousrectification

• Battery chargers

• Switched-modeandresonant-mode

powersupplies

• DC choppers

Symbol

TestConditions

CharacteristicValues

(T_J= 25°C, unless otherwise specified)

min. typ. max.

V_DSS

V_GS= 0 V, I_D= 250 mA

500

V_GS(th)

V_DS= V_GS, I_D= 2.5 mA

• AC motor control

• Temperatureandlightingcontrols

• Low voltage relays

I_GSS

I_DSS

V_GS= ±20 V_DC, V_DS= 0

±100

V_DS= 0.8 • V_DSS

V_GS= 0 V

T_J= 25°C

T_J= 125°C

200 mA

Advantages

• High power, low profile package

• Space savings

• High power density

R_DS(on)

V_GS= 10 V, I_D= 0.5 • I_D25

Pulse test, t £ 300 ms, duty cycle d £ 2 %

0.4

IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.

98578(2/99)

1 - 4

12 3 4

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