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IXFK120N65X2

更新时间： 2024-11-19 14:57:03

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力特 - LITTELFUSE		栅二极管栅极
页数	文件大小	规格书
7页	831K
描述
这些新型器件采用电荷补偿原理和专有工艺技术开发，具有最低的导通电阻，以及低栅极电荷和卓越的dv/dt性能。其雪崩能力也增强了器件的强度。此外，借助快速软恢复体二极管，超级结MOSFET有助于

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IXFK120N65X2 数据手册

X2-Class HiPerFET^TM

Power MOSFET

V_DSS= 650V

I_D25= 120A

R_DS(on) 24m

IXFK120N65X2

IXFX120N65X2

N-Channel Enhancement Mode

Avalanche Rated

Fast Intrinsic Diode

TO-264

(IXFK)

Tab

Symbol

Test Conditions

Maximum Ratings

V_DSS

V_DGR

T_J= 25C to 150C

T_J= 25C to 150C, R_GS= 1M

650

PLUS247

(IXFX)

V_GSS

V_GSM

Continuous

Transient

 30

 40

I_D25

I_DM

T_C= 25C

T_C= 25C, Pulse Width Limited by T_JM

120

240

Tab

I_A

E_AS

T_C= 25C

3.5

G = Gate

S = Source

= Drain

P_D

T_C= 25C

1250

Tab = Drain

dv/dt

I_S I_DM, V_DD V_DSS, T_J 150°C

V/ns

T_J

T_JM

T_stg

-55 ... +150

150

-55 ... +150

C

Features



International Standard Packages

Low Q_G

Avalanche Rated

T_L

T_SOLD

Maximum Lead Temperature for Soldering

1.6 mm (0.062in.) from Case for 10s

300

260

°C



M_d

F_C

Mounting Torque (TO-264)

Mounting Force (PLUS247)

1.13/10

Nm/lb.in

N/lb

Low Package Inductance

20..120 /4.5..27

Weight

TO-264

PLUS247

Advantages



High Power Density

Easy to Mount

Space Savings



Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

(T_J= 25C Unless Otherwise Specified)

Min.

Typ.

Max.

Applications

BV_DSS

V_GS(th)

I_GSS

V_GS= 0V, I_D= 3mA

V_DS= V_GS, I_D= 8mA

V_GS=  30V, V_DS= 0V

V_DS= V_DSS, V_GS= 0V

650



Switch-Mode and Resonant-Mode

Power Supplies

3.5

5.0



DC-DC Converters

PFC Circuits

AC and DC Motor Drives

Robotics and Servo Controls



100 nA



I_DSS

50 A

5 mA



T_J= 125C

R_DS(on)

V_GS= 10V, I_D= 0.5 • I_D25, Note 1

24 m

DS100685D(1/20)

12 3 4 5 6 7

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