5秒后页面跳转

Datasheet > IXFK120N65X2

IXFK120N65X2 PDF预览

IXFK120N65X2

更新时间： 2023-12-06 20:13:28

品牌	Logo	应用领域
力特 - LITTELFUSE		栅二极管栅极
页数	文件大小	规格书
7页	831K
描述
这些新型器件采用电荷补偿原理和专有工艺技术开发，具有最低的导通电阻，以及低栅极电荷和卓越的dv/dt性能。其雪崩能力也增强了器件的强度。此外，借助快速软恢复体二极管，超级结MOSFET有助于

阅读下载

获取价格

数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

IXFK120N65X2 数据手册

浏览型号IXFK120N65X2的Datasheet PDF文件第2页

浏览型号IXFK120N65X2的Datasheet PDF文件第3页

浏览型号IXFK120N65X2的Datasheet PDF文件第4页

浏览型号IXFK120N65X2的Datasheet PDF文件第5页

浏览型号IXFK120N65X2的Datasheet PDF文件第6页

浏览型号IXFK120N65X2的Datasheet PDF文件第7页

X2-Class HiPerFET^TM

Power MOSFET

V_DSS= 650V

I_D25= 120A

R_DS(on) 24m

IXFK120N65X2

IXFX120N65X2

D

S

N-Channel Enhancement Mode

Avalanche Rated

Fast Intrinsic Diode

TO-264

(IXFK)

G

G

D

Tab

Symbol

Test Conditions

Maximum Ratings

S

V_DSS

V_DGR

T_J= 25C to 150C

T_J= 25C to 150C, R_GS= 1M

650

650

V

V

PLUS247

(IXFX)

V_GSS

V_GSM

Continuous

Transient

 30

 40

V

V

I_D25

I_DM

T_C= 25C

T_C= 25C, Pulse Width Limited by T_JM

120

240

A

A

G

D

Tab

S

I_A

E_AS

T_C= 25C

T_C= 25C

15

3.5

A

J

G = Gate

S = Source

D

= Drain

P_D

T_C= 25C

1250

50

W

Tab = Drain

dv/dt

I_S I_DM, V_DD V_DSS, T_J 150°C

V/ns

T_J

T_JM

T_stg

-55 ... +150

150

-55 ... +150

C

C

C

Features



International Standard Packages

Low Q_G

Avalanche Rated

T_L

T_SOLD

Maximum Lead Temperature for Soldering

1.6 mm (0.062in.) from Case for 10s

300

260

°C

°C







M_d

F_C

Mounting Torque (TO-264)

Mounting Force (PLUS247)

1.13/10

Nm/lb.in

N/lb

Low Package Inductance

20..120 /4.5..27

Weight

TO-264

PLUS247

10

6

g

g

Advantages



High Power Density

Easy to Mount

Space Savings





Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

(T_J= 25C Unless Otherwise Specified)

Min.

Typ.

Max.

Applications

BV_DSS

V_GS(th)

I_GSS

V_GS= 0V, I_D= 3mA

V_DS= V_GS, I_D= 8mA

V_GS=  30V, V_DS= 0V

V_DS= V_DSS, V_GS= 0V

650

V

V



Switch-Mode and Resonant-Mode

Power Supplies

3.5

5.0



DC-DC Converters

PFC Circuits

AC and DC Motor Drives

Robotics and Servo Controls



100 nA



I_DSS

50 A

5 mA



T_J= 125C

R_DS(on)

V_GS= 10V, I_D= 0.5 • I_D25, Note 1

24 m

© 2020 IXYS CORPORATION, All Rights Reserved

DS100685D(1/20)

12 3 4 5 6 7

下载PDF

与IXFK120N65X2相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
IXFK140N20P	IXYS	PolarHT HiPerFET Power MOSFET	获取价格
IXFK140N20P	LITTELFUSE	功能与特色: 优点: 应用:	获取价格
IXFK140N25T	IXYS	GigaMOS Power MOSFET	获取价格
IXFK140N25T	LITTELFUSE	沟槽栅功率MOSFET适用于低电压/高电流应用，所需的RDS(on)极低，因此确保了非常低	获取价格
IXFK140N30P	IXYS	Polar Power MOSFET HiPerFET	获取价格
IXFK140N30P	LITTELFUSE	功能与特色: 优点: 应用:	获取价格

与IXFK120N65X2相关文章

热门产品

PCB打样/小批量

BOM智能配单

精选活动

PCBA打样特惠

四六层板品质升级

铝基板品质升级

一体化电子制造

服务支持

关于捷配

帮助中心

全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号

微信公众号

捷配网-微信公众号

抖音公众号

资质认证：

合作快递：

支付方式：

Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司

浙公网安备 33010502006866号浙ICP备10014259号-119 营业执照 ICP证