品牌 | Logo | 应用领域 |
力特 - LITTELFUSE | 栅 | |
页数 | 文件大小 | 规格书 |
6页 | 167K | |
描述 | ||
沟槽栅功率MOSFET适用于低电压/高电流应用,所需的RDS(on)极低,因此确保了非常低的功率耗损。 再结合广泛的工作结温范围(从-40 °C到175 °C),这些产品非常适合汽车应用以及其他处 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IXFK120N65X2 | LITTELFUSE |
获取价格 |
这些新型器件采用电荷补偿原理和专有工艺技术开发,具有最低的导通电阻,以及低栅极电荷和卓越的 | |
IXFK140N20P | IXYS |
获取价格 |
PolarHT HiPerFET Power MOSFET | |
IXFK140N20P | LITTELFUSE |
获取价格 |
功能与特色: 优点: 应用: | |
IXFK140N25T | IXYS |
获取价格 |
GigaMOS Power MOSFET | |
IXFK140N25T | LITTELFUSE |
获取价格 |
沟槽栅功率MOSFET适用于低电压/高电流应用,所需的RDS(on)极低,因此确保了非常低 | |
IXFK140N30P | IXYS |
获取价格 |
Polar Power MOSFET HiPerFET | |
IXFK140N30P | LITTELFUSE |
获取价格 |
功能与特色: 优点: 应用: | |
IXFK14N100Q | IXYS |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 1000V, 0.75ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me | |
IXFK150N15 | IXYS |
获取价格 |
HiPerFET Power MOSFETs | |
IXFK150N15P | IXYS |
获取价格 |
PolarHT⑩ HiPerFET Power MOSFET |