型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
IXTK110N30 | IXYS |
类似代替 ![]() |
Power Field-Effect Transistor, 110A I(D), 300V, 0.026ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M |
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IXFX120N30T | IXYS |
功能相似 ![]() |
GigaMOS Power MOSFET |
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型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IXFK120N65X2 | LITTELFUSE |
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这些新型器件采用电荷补偿原理和专有工艺技术开发,具有最低的导通电阻,以及低栅极电荷和卓越的 |
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IXFK140N20P | IXYS |
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PolarHT HiPerFET Power MOSFET |
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IXFK140N20P | LITTELFUSE |
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功能与特色: 优点: 应用: |
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IXFK140N25T | IXYS |
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GigaMOS Power MOSFET |
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IXFK140N25T | LITTELFUSE |
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沟槽栅功率MOSFET适用于低电压/高电流应用,所需的RDS(on)极低,因此确保了非常低 |
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IXFK140N30P | IXYS |
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Polar Power MOSFET HiPerFET |
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IXFK140N30P | LITTELFUSE |
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功能与特色: 优点: 应用: |
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IXFK14N100Q | IXYS |
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Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 1000V, 0.75ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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IXFK150N15 | IXYS |
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HiPerFET Power MOSFETs |
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IXFK150N15P | IXYS |
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PolarHT⑩ HiPerFET Power MOSFET |
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