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IXFX120N30T

更新时间： 2024-11-21 05:39:59

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5页	138K
描述
GigaMOS Power MOSFET

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IXFX120N30T 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Transferred	包装说明：	IN-LINE, R-PSIP-T3
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	8.49
其他特性：	AVALANCHE RATED	雪崩能效等级（Eas）：	2500 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	300 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	120 A
最大漏极电流 (ID)：	120 A	最大漏源导通电阻：	0.024 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PSIP-T3
JESD-609代码：	e1	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	960 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	330 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	NO	端子面层：	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

IXFX120N30T 数据手册

Advance Technical Information

GigaMOS^TM

Power MOSFET

V_DSS= 300V

I_D25= 120A

R_DS(on)≤ 24mΩ

IXFK120N30T

IXFX120N30T

t_rr

≤ 200ns

N-Channel Enhancement Mode

Avalanche Rated

Fast Intrinsic Diode

TO-264 (IXFK)

Symbol

Test Conditions

Maximum Ratings

V_DSS

V_DGR

T_J= 25°C to 150°C

T_J= 25°C to 150°C, R_GS= 1MΩ

300

(TAB)

V_GSS

V_GSM

Continuous

Transient

± 20

± 30

PLUS247 (IXFX)

I_D25

I_DM

T_C= 25°C

T_C= 25°C, Pulse Width Limited by T_JM

120

330

I_A

E_AS

T_C= 25°C

2.5

dV/dt

P_D

I_S≤ I_DM, V_DD≤ V_DSS, T_J≤ 150°C

T_C= 25°C

V/ns

(TAB)

960

G = Gate

S = Source

= Drain

T_J

T_JM

T_stg

-55 ... +150

150

-55 ... +150

°C

TAB = Drain

T_L

T_SOLD

1.6mm (0.062 in.) from Case for 10s

Plastic Body for 10s

300

260

°C

Features

^zInternational Standard Packages

^zHigh Current Handling Capability

^zFast Intrinsic Diode

M_d

F_C

Mounting Torque (TO-264)

Mounting Force (PLUS247)

1.13/10

Nm/lb.in.

N/lb.

20..120 /4.5..27

Weight

TO-264

PLUS247

^zAvalanche Rated

Low R_DS(on)

Advantages

Easy to Mount

Space Savings

High Power Density

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

(T_J= 25°C Unless Otherwise Specified)

Min.

Typ.

Max.

BV_DSS

V_GS(th)

I_GSS

V_GS= 0V, I_D= 3mA

V_DS= V_GS, I_D= 4mA

V_GS= ± 20V, V_DS= 0V

V_DS= V_DSS, V_GS= 0V

300

Applications

2.5

5.0

^zDC-DC Converters

^zBattery Chargers

± 200 nA

^zSwitched-Mode and Resonant-Mode

Power Supplies

I_DSS

50 µA

3 mA

T_J= 125°C

^zDC Choppers

^zAC Motor Drives

R_DS(on)

V_GS= 10V, I_D= 60A, Note 1

24 mΩ

^zUninterruptible Power Supplies

^zHigh Speed Power Switching

Applications

DS100132(03/09)

12 3 4 5

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IXFX120N30T 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
IXTK110N30	IXYS	功能相似	Power Field-Effect Transistor, 110A I(D), 300V, 0.026ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M
IXFK120N30T	IXYS	功能相似	GigaMOS Power MOSFET

与IXFX120N30T相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXFX120N65X2	LITTELFUSE	获取价格	这些新型器件采用电荷补偿原理和专有工艺技术开发，具有最低的导通电阻，以及低栅极电荷和卓越的
IXFX12N90Q	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 900V, 0.9ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta
IXFX12N90Q	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 900V, 0.9ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta
IXFX140N25T	IXYS	获取价格	GigaMOS Power MOSFET
IXFX140N25T	LITTELFUSE	获取价格	沟槽栅功率MOSFET适用于低电压/高电流应用，所需的RDS(on)极低，因此确保了非常低
IXFX140N30P	IXYS	获取价格	Polar Power MOSFET HiPerFET
IXFX140N30P	LITTELFUSE	获取价格	功能与特色: 优点: 应用:
IXFX14N100	IXYS	获取价格	HiPerFET Power MOSFETs
IXFX150N15	IXYS	获取价格	HiPerFET Power MOSFETs
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