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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Transferred | 包装说明： | IN-LINE, R-PSIP-T3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.71 |
| 其他特性： | AVALANCHE RATED | 雪崩能效等级（Eas）： | 3000 mJ |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 200 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 170 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 170 A | 最大漏源导通电阻： | 0.011 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码： | R-PSIP-T3 |
| JESD-609代码： | e1 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 175 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | IN-LINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 1150 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 470 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| IXFK170N20T | IXYS |
功能相似  |
GigaMOS Power MOSFET |
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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IXFX1806 | IXYS |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 53A I(D), 500V, 0.09ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| IXFX180N07 | IXYS |
获取价格 |
HiPerFET Power MOSFETs |
|
| IXFX180N07 | LITTELFUSE |
获取价格 |
功能与特色: 应用: 优点: |
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| IXFX180N085 | IXYS |
获取价格 |
HiPerFET Power MOSFETs |
|
| IXFX180N10 | IXYS |
获取价格 |
Single MOSFET Die |
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| IXFX180N10 | LITTELFUSE |
获取价格 |
功能与特色: 应用: 优点: |
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| IXFX180N15P | IXYS |
获取价格 |
Polar HiPerFET Power MOSFET |
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| IXFX180N25T | IXYS |
获取价格 |
GigaMOS Power MOSFET |
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| IXFX180N25T | LITTELFUSE |
获取价格 |
沟槽栅功率MOSFET适用于低电压/高电流应用，所需的RDS(on)极低，因此确保了非常低 |
|
| IXFX200N10P | IXYS |
获取价格 |
Polar HiPerFET Power MOSFET |
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解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
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