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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | End Of Life | 包装说明： | IN-LINE, R-PSIP-T3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.81 |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 2000 mJ | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 1200 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 20 A | 最大漏源导通电阻： | 0.75 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码： | R-PSIP-T3 |
| JESD-609代码： | e1 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | IN-LINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 80 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| IXFX20N120P | IXYS |
类似代替  |
Polar Power MOSFET HiPerFET |
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| IXFK20N120 | IXYS |
功能相似 |
HiPerFET Power MOSFETs |
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| IXFN20N120 | IXYS |
功能相似 |
HiPerFET Power MOSFETs |
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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IXFX20N120P | IXYS |
获取价格 |
Polar Power MOSFET HiPerFET |
|
| IXFX210N17T | IXYS |
获取价格 |
GigaMOS Power MOSFET |
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| IXFX210N30X3 | IXYS |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, |
|
| IXFX21N100F | IXYS |
获取价格 |
HiPerRF Power MOSFETs F-Class: MegaHertz Switching |
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| IXFX21N100Q | IXYS |
获取价格 |
HiPerFET Power MOSFETs Q-CLASS |
|
| IXFX21N100Q | LITTELFUSE |
获取价格 |
功能与特色: 应用: 优点: |
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| IXFX220N15P | IXYS |
获取价格 |
Polar Power MOSFET HiperFET |
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| IXFX220N15P | LITTELFUSE |
获取价格 |
功能与特色: 优点: 应用: |
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| IXFX220N17T2 | IXYS |
获取价格 |
GigaMOS TrenchT2 HiperFET Power MOSFET |
|
| IXFX220N17T2 | LITTELFUSE |
获取价格 |
这些器件具有40V至170V的漏极 - 源极电压额定值，并可提供高达600安培的高电流性能 |
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解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
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