IXFN20N120

更新时间： 2024-11-18 11:14:03

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IXYS		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
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4页	568K
描述
HiPerFET Power MOSFETs

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IXFN20N120 技术参数

是否无铅：	不含铅	生命周期：	Transferred
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PUFM-X4	针数：	4
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.23
Is Samacsys：	N	其他特性：	AVALANCHE RATED
雪崩能效等级（Eas）：	2000 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	1200 V
最大漏极电流 (ID)：	20 A	最大漏源导通电阻：	0.75 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PUFM-X4
元件数量：	1	端子数量：	4
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	80 A
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子面层：	Nickel (Ni)	端子形式：	UNSPECIFIED
端子位置：	UPPER	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

IXFN20N120 数据手册

Advanced Technical Information

HiPerFET^TM

Power MOSFETs

IXFN 20N120

V_DSS= 1200 V

I_D2520 A

R_DS(on)= 0.75 Ω

t_rr≤ 300 ns

N-Channel Enhancement Mode

AvalancheRated, Highdv/dt, Lowt_rr

Symbol

TestConditions

Maximum Ratings

miniBLOC,SOT-227B(IXFN)

E153432

V_DSS

V_DGR

T_J= 25°C to 150°C

T_J= 25°C to 150°C; R_GS= 1 MΩ

1200

V_GS

Continuous

Transient

V_GSM

I_D25

T_C= 25°C, Chip capability

I_DM

I_AR

T_C= 25°C, pulse width limited by T_JM

T_C= 25°C

G = Gate

D = Drain

TAB = Drain

E_AR

E_AS

= 25°C

T^C_C= 25°C

S = Source

Either Source terminal at miniBLOC can be used

as Main or Kelvin Source

dv/dt

I_S≤ I_DM, di/dt ≤ 100 A/µs, V_DD≤ V_DSS

T_J≤ 150°C, R_G= 2 Ω

V/ns

Features

P_D

T_C= 25°C

780

• International standard package

T_J

-55 ... +150

150

-55 ... +150

°C

• miniBLOC, withAluminiumnitride

T_JM

T_stg

isolation

• Low R_{DS (on)}HDMOS^TMprocess

• Ruggedpolysilicongatecellstructure

V_ISOL

M_d

50/60 Hz, RMS

_ISOL≤ 1 mA

t = 1 min

t = 1 s

2500

3000

• UnclampedInductiveSwitching(UIS)

rated

Mounting torque

Terminal connection torque

1.5/13 Nm/lb.in.

• Lowpackageinductance

• FastintrinsicRectifier

Weight

Applications

• DC-DC converters

• Batterychargers

Symbol

TestConditions

Characteristic Values

(T_J= 25°C, unless otherwise specified)

min. typ. max.

• Switched-modeandresonant-mode

power supplies

V_DSS

V_GS= 0 V, I_D= 1 mA

V_DS= V_GS, I_D= 8 mA

1200

2.5

• DC choppers

• Temperatureandlightingcontrols

V_GH(th)

4.5

I_GSS

I_DSS

V_GS= 30 V_DC, V_DS= 0

100 nA

V_DS= V_DSS

V_GS= 0 V

T = 25°C

T_J^J= 125°C

100 µA

Advantages

• Easy to mount

• Space savings

• High power density

R_DS(on)

= 10 V, I_D= 0.5 • I

0.75

Ω

Pu^GSlse test, t ≤ 300 µs,^D25

duty cycle d ≤ 2 %

DS99116(11/03)

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型号	品牌	替代类型	描述	数据表
IXFK20N120	IXYS	类似代替	HiPerFET Power MOSFETs
IXFK48N60P	IXYS	功能相似	PolarHVTM HiPerFET Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated Fast Intrinsic

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXFN20N120P	IXYS	获取价格	Polar Power MOSFET HiPerFET
IXFN20N120P	LITTELFUSE	获取价格	功能与特色: 优点: 应用:
IXFN210N20P	IXYS	获取价格	Polar HiPerFET
IXFN210N20P	LITTELFUSE	获取价格	功能与特色: 优点: 应用:
IXFN210N30P3	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IXFN210N30P3	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET,
IXFN210N30X3	LITTELFUSE	获取价格	超级结MOSFET采用电荷补偿原理和专有工艺技术开发，可提供出类拔萃的质量因数（导通电阻乘
IXFN21N100	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET POWER MODULE \| INDEPENDENT \| 1KV V(BR)DSS \| 21A I(D)
IXFN21N100Q	IXYS	获取价格	HiPerFET TM Power MOSFETs Q-Class
IXFN21N100Q	LITTELFUSE	获取价格	功能与特色: 应用: 优点:

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