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IXFN20N120P

更新时间： 2024-11-19 14:56:43

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力特 - LITTELFUSE		/
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IXFN20N120P 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PUFM-X4	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.76	Is Samacsys：	N
其他特性：	UL RECOGNIZED, AVALANCHE RATED	雪崩能效等级（Eas）：	1000 mJ
外壳连接：	ISOLATED	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	1200 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	20 A
最大漏极电流 (ID)：	20 A	最大漏源导通电阻：	0.57 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PUFM-X4
元件数量：	1	端子数量：	4
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	595 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	50 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	NO
端子面层：	Nickel (Ni)	端子形式：	UNSPECIFIED
端子位置：	UPPER	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

IXFN20N120P 数据手册

Polar^TMPower MOSFET

HiPerFET^TM

V_DSS= 1200V

I_D25= 20A

R_DS(on)≤ 570mΩ

≤ 300ns

IXFN20N120P

N-Channel Enhancement Mode

Avalanche Rated

Fast Intrinsic Diode

t_rr

miniBLOC, SOT-227 B (IXFN)

E153432

Symbol

V_DSS

Test Conditions

Maximum Ratings

T_J= 25°C to 150°C

1200

V_DGR

T_J= 25°C to 150°C, R_GS= 1MΩ

V_GSS

V_GSM

Continuous

Transient

± 30

± 40

I_D25

I_DM

T_C= 25°C

D = Drain

T_C= 25°C, pulse width limited by T_JM

G = Gate

S = Source

I_A

T_C= 25°C

E_AS

Either Source terminal S can be used as the

Source terminal or the Kelvin Source (gate

return) terminal.

dV/dt

P_D

I_S≤ I_DM, V_DD≤ V_DSS, T_J≤ 150°C

T_C= 25°C

V/ns

595

Features

T_J

-55 ... +150

150

°C

• International standard package

• Encapsulating epoxy meets

UL94V-0, flammability classification

• miniBLOC with Aluminium nitride

isolation

T_JM

T_stg

-55 ... +150

T_L

1.6mm (0.062 in.) from case for 10s

300

°C

• Fast recovery diode

• Unclamped Inductive Switching (UIS)

rated

V_ISOL

50/60 Hz, RMS

t = 1min

2500

3000

I_ISOL≤ 1mA

t = 1s

• Low package inductance

- easy to drive and to protect

M_d

Mounting torque

Terminal connection torque

1.5/13

1.3/11.5

Nm/lb.in.

Advantages

Weight

• Easy to mount

• Space savings

• High power density

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

(T_J= 25°C, unless otherwise specified)

Min.

Typ. Max.

Applications:

BV_DSS

V_GS(th)

I_GSS

V_GS= 0V, I_D= 1mA

V_DS= V_GS, I_D= 1mA

V_GS= ± 30V, V_DS= 0V

1200

3.5

^zHigh Voltage Switched-mode and

resonant-mode power supplies

^zHigh Voltage Pulse Power Applications

^zHigh Voltage Discharge circuits in

Lasers Pulsers, Spark Igniters, RF

Generators

6.5

± 200 nA

I_DSS

V_DS= V_DSS

V_GS= 0V

25 μA

5 mA

^zHigh Voltage DC-DC converters

^zHigh Voltage DC-AC inverters

T_J= 125°C

R_DS(on)

V_GS= 10V, I_D= 10A, Note 1

570 mΩ

DS99889A (04/08)

12 3 4 5

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