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力特 - LITTELFUSE | / | |
页数 | 文件大小 | 规格书 |
6页 | 134K | |
描述 | ||
Power Field-Effect Transistor, |
生命周期: | Active | 包装说明: | , |
Reach Compliance Code: | unknown | 风险等级: | 5.71 |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IXFN210N30X3 | LITTELFUSE |
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超级结MOSFET采用电荷补偿原理和专有工艺技术开发,可提供出类拔萃的质量因数(导通电阻乘 | |
IXFN21N100 | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET POWER MODULE | INDEPENDENT | 1KV V(BR)DSS | 21A I(D) | |
IXFN21N100Q | IXYS |
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HiPerFET TM Power MOSFETs Q-Class | |
IXFN21N100Q | LITTELFUSE |
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功能与特色: 应用: 优点: | |
IXFN220N20X3 | LITTELFUSE |
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Power Field-Effect Transistor, | |
IXFN22N120 | IXYS |
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HiPerFET Power MOSFETs | |
IXFN230N10 | IXYS |
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Power MOSFETs Single Die MOSFET | |
IXFN230N10 | LITTELFUSE |
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功能与特色: 应用: 优点: | |
IXFN230N10_08 | IXYS |
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Power MOSFET Single Die MOSFET | |
IXFN230N20T | IXYS |
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GigaMOS Power MOSFET |