是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Transferred | 包装说明: | FLANGE MOUNT, R-PUFM-X4 |
针数: | 4 | Reach Compliance Code: | compliant |
ECCN代码: | EAR99 | 风险等级: | 4.45 |
其他特性: | UL RECOGNIZED, AVALANCHE RATED | 雪崩能效等级(Eas): | 3000 mJ |
外壳连接: | ISOLATED | 配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压: | 200 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID): | 220 A |
最大漏极电流 (ID): | 220 A | 最大漏源导通电阻: | 0.0075 Ω |
FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码: | R-PUFM-X4 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 4 |
工作模式: | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度: | 175 °C |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型: | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs): | 1090 W |
最大脉冲漏极电流 (IDM): | 630 A | 认证状态: | Not Qualified |
子类别: | FET General Purpose Power | 表面贴装: | NO |
端子面层: | Nickel (Ni) | 端子形式: | UNSPECIFIED |
端子位置: | UPPER | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
晶体管应用: | SWITCHING | 晶体管元件材料: | SILICON |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IXFN23N100 | IXYS |
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HiPerFET-TM Power MOSFET | |
IXFN240N15T2 | IXYS |
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GigaMOS TrenchT2 HiperFET Power MOSFET | |
IXFN240N15T2 | LITTELFUSE |
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这些器件具有40V至170V的漏极 - 源极电压额定值,并可提供高达600安培的高电流性能 | |
IXFN240N25X3 | LITTELFUSE |
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Power Field-Effect Transistor, | |
IXFN24N100 | IXYS |
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HiPerRF Power MOSFETs | |
IXFN24N100 | LITTELFUSE |
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功能与特色: 应用: 优点: | |
IXFN24N100_08 | IXYS |
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HiPerFET Power MOSFET | |
IXFN24N100F | IXYS |
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HiPerRF Power MOSFETs | |
IXFN24N80 | IXYS |
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Power Field-Effect Transistor, 34A I(D), 800V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide | |
IXFN24N90Q | IXYS |
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Power Field-Effect Transistor, 24A I(D), 900V, 0.45ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |