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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Transferred | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PUFM-X4 |
| 针数： | 4 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 4.45 |
| 其他特性： | UL RECOGNIZED, AVALANCHE RATED | 雪崩能效等级（Eas）： | 3000 mJ |
| 外壳连接： | ISOLATED | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 200 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 220 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 220 A | 最大漏源导通电阻： | 0.0075 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码： | R-PUFM-X4 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 4 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 175 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 1090 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 630 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Nickel (Ni) | 端子形式： | UNSPECIFIED |
| 端子位置： | UPPER | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IXFN23N100 | IXYS |
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HiPerFET-TM Power MOSFET |
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| IXFN240N15T2 | IXYS |
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GigaMOS TrenchT2 HiperFET Power MOSFET |
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| IXFN240N15T2 | LITTELFUSE |
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这些器件具有40V至170V的漏极 - 源极电压额定值，并可提供高达600安培的高电流性能 |
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| IXFN240N25X3 | LITTELFUSE |
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Power Field-Effect Transistor, |
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| IXFN24N100 | IXYS |
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HiPerRF Power MOSFETs |
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| IXFN24N100 | LITTELFUSE |
获取价格 |
功能与特色: 应用: 优点: |
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| IXFN24N100_08 | IXYS |
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HiPerFET Power MOSFET |
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| IXFN24N100F | IXYS |
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HiPerRF Power MOSFETs |
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| IXFN24N80 | IXYS |
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Power Field-Effect Transistor, 34A I(D), 800V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide |
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| IXFN24N90Q | IXYS |
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Power Field-Effect Transistor, 24A I(D), 900V, 0.45ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
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