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IXFN230N20T

更新时间： 2024-01-02 22:23:16

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描述
GigaMOS Power MOSFET

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IXFN230N20T 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	4.98

IXFN230N20T 数据手册

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Advance Technical Information

GigaMOS^TM

Power MOSFET

V_DSS= 200V

I_D25= 230A

R_DS(on)≤ 7.5mΩ

IXFN230N20T

t_rr

≤ 200ns

N-Channel Enhancement Mode

Avalanche Rated

Fast Intrinsic Diode

miniBLOC, SOT-227

E153432

S

Symbol

V_DSS

Test Conditions

Maximum Ratings

G

T_J= 25°C to 175°C

T_J= 25°C to 175°C, R_GS= 1MΩ

200

200

V

V

V_DGR

V_GSS

V_GSM

Continuous

Transient

±20

±30

V

V

S

D

I_D25

T_C= 25°C

220

A

G = Gate

S = Source

D = Drain

I_L(RMS)

I_DM

External Lead Current Limit

T_C= 25°C, Pulse Width Limited by T_JM

200

630

A

A

Either Source Terminal S can be used as

the Source Terminal or the Kelvin Source

( Gate Return ) Terminal.

I_A

T_C= 25°C

T_C= 25°C

100

3

A

J

E_AS

dV/dt

P_D

I_S≤ I_DM, V_DD≤ V_DSS, T_J≤ 175°C

T_C= 25°C

20

V/ns

W

Features

1090

^ꢀInternational Standard Package

^ꢀminiBLOC, with Aluminium Nitride

Isolation

T_J

T_JM

T_stg

-55 ... +175

175

-55 ... +175

°C

°C

°C

^ꢀIsolation voltage 2500 V~

^ꢀHigh Current Handling Capability

^ꢀFast Intrinsic Diode

T_L

T_SOLD

1.6mm (0.062 in.) from Case for 10s

Plastic Body for 10s

300

260

°C

°C

V_ISOL

50/60 Hz, RMS

t = 1 minute

t = 1 second

2500

3000

V~

V~

^ꢀAvalanche Rated

I_ISOL≤ 1mA

ꢀ

Low R_DS(on)

M_d

Mounting Torque

Terminal Connection Torque

1.5/13

1.3/11.5

Nm/lb.in.

Nm/lb.in.

Advantages

Weight

30

g

ꢀ

Easy to Mount

Space Savings

High Power Density

ꢀ

ꢀ

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

Applications

(T_J= 25°C, Unless Otherwise Specified)

Min.

200

2.5

Typ.

Max.

ꢀ

BV_DSS

V_GS(th)

I_GSS

V_GS= 0V, I_D= 3mA

V_DS= V_GS, I_D= 8mA

V_GS= ±20V, V_DS= 0V

V_DS= V_DSS, V_GS= 0V

V

V

Synchronous Recification

^ꢀDC-DC Converters

^ꢀBattery Chargers

5.0

^ꢀSwitched-Mode and Resonant-Mode

Power Supplies

^ꢀDC Choppers

^ꢀAC Motor Drives

±200 nA

I_DSS

50 µA

3 mA

T_J= 150°C

^ꢀUninterruptible Power Supplies

^ꢀHigh Speed Power Switching

Applications

R_DS(on)

V_GS= 10V, I_D= 60A, Note 1

7.5 mΩ

DS100134(03/09)

© 2009 IXYS CORPORATION, All Rights Reserved

12 3 4 5

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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IXFN240N25X3	LITTELFUSE	Power Field-Effect Transistor,	获取价格
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