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IXFN26N90

更新时间： 2023-12-06 20:13:17

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力特 - LITTELFUSE		/
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IXFN26N90 数据手册

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HiPerFET^TMPower MOSFETs

Single Die MOSFET

V_DSS

I_D25

R_DS(on)

900V 25A

900V 26A

330mΩ

300mΩ

IXFN25N90

IXFN26N90

N-Channel Enhancement Mode

Avalanche Rated,High dv/dt, Low t_rr

Fast Intrinsic Diode

miniBLOC, SOT-227

E153432

Symbol

V_DSS

Test Conditions

Maximum Ratings

T_J= 25°C to 150°C

900

V

V

V

V

S

G

V_DGR

V_GSS

V_GSM

T_J= 25°C to 150°C, R_GS= 1MΩ

Continuous

900

± 20

± 30

Transient

I_D25

I_DM

I_D25

I_DM

T_C= 25°C

25N90

25

100

26

A

A

A

A

S

T_C= 25°C, pulse width limited by T_JM

T_C= 25°C

25N90

26N90

26N90

D

G = Gate

S = Source

D = Drain

T_C= 25°C, pulse width limited by T_JM

104

I_AR

I_AR

E_AR

E_AS

T_C= 25°C

T_C= 25°C

T_C= 25°C

T_C= 25°C

25N90

26N90

25

26

64

3

A

A

mJ

J

Either Source terminal S can be used as the

Source terminal or the Kelvin Source (gate

return) terminal.

dV/dt

P_D

I_S≤ I_DM, V_DD≤ V_DSS, T_J≤ 150°C

T_C= 25°C

5

V/ns

W

Features

600

^zInternational standard package

^zminiBLOC, with Aluminium nitride

isolation

T_J

-55 ... +150

150

°C

°C

°C

°C

T_JM

T_stg

T_L

-55 ... +150

300

^zLow R_DS(ON)HDMOS^TMprocess

^zAvalanche Rated

1.6mm (0.062 in.) from case for 10s

^zLow package inductance

^zFast intrinsic diode

V_ISOL

50/60 Hz, RMS

t = 1min

t = 1s

2500

3000

V~

V~

I_ISOL≤ 1mA

Advantages

M_d

Mounting torque

Terminal connection torque

1.5/13

1.3/11.5

Nm/lb.in.

Nm/lb.in.

^zLow gate drive requirement

^zHigh power density

Weight

30

g

Applications:

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

^zSwitched-mode and resonant-mode

power supplies

(T_J= 25°C unless otherwise specified)

Min. Typ. Max.

^zDC-DC Converters

^zBattery chargers

BV_DSS

V_GS(th)

I_GSS

V_GS= 0V, I_D= 3mA

V_DS= V_GS, I_D= 8mA

V_GS= ± 20V, V_DS= 0V

900

3.0

V

^zDC choppers

5.0

V

^zTemperature & lighting controls

± 200 nA

I_DSS

V_DS= 0.8 • V_DSS

V_GS= 0V

100 μA

2 mA

T_J= 125°C

R_DS(on)

V_GS= 10V, I_D= 0.5 • I_D25, Note 1

25N90

26N90

330 mΩ

300 mΩ

DS97526F(12/08)

© 2008 IXYS CORPORATION, All rights reserved

12 3 4 5

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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