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IXFN23N100

更新时间： 2024-11-18 03:14:35

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4页	89K
描述
HiPerFET-TM Power MOSFET

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IXFN23N100 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Transferred	包装说明：	MINIBLOC-4
针数：	4	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.75	其他特性：	AVALANCHE RATED
雪崩能效等级（Eas）：	3000 mJ	外壳连接：	ISOLATED
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	1000 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	23 A	最大漏极电流 (ID)：	23 A
最大漏源导通电阻：	0.43 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PUFM-X4	元件数量：	1
端子数量：	4	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	600 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	92 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	NO	端子面层：	Nickel (Ni)
端子形式：	UNSPECIFIED	端子位置：	UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

IXFN23N100 数据手册

HiPerFET^TM

Power MOSFET

V_DSS

I_D25

R_DS(on)

IXFN 24N100 1000 V 24 A

IXFN 23N100 1000 V 23 A

0.39 Ω

0.43 Ω

t ≤ 250 ns

êê

Single MOSFET Die

Preliminary data sheet

miniBLOC,SOT-227B(IXFN)

E153432

Symbol TestConditions

Maximum Ratings

V_DSS

V_DGR

T_J= 25°C to 150°C

T_J= 25°C to 150°C, R_GS= 1MΩ

1000

V_GS

V_GSM

Continuous

Transient

±20

±30

I_D25

I_DM

I_AR

T_C= 25°C

24N100

23N100

24N100

23N100

T_C= 25°C; Note 1

T_C= 25°C

G = Gate

S = Source

D = Drain

E_AR

E_AS

T_C= 25°C

báíÜÉê=pçìêÅÉ=íÉêãáå~ä=~í=ãáåá_il`=Å~å=ÄÉ=ìëÉÇ

~ë=j~áå=çê=hÉäîáå=pçìêÅÉ

dv/dt

I_S≤ I_DM, di/dt ≤ 100 A/µs, V_DD≤ V_DSS

T_J≤ 150°C, R_G= 2 Ω

V/ns

Features

P_D

T_C= 25°C

600

• International standard package

• Encapsulating epoxy meets

UL 94 V-0, flammability classification

• miniBLOC with Aluminium nitride

isolation

T_J

T_JM

T_stg

-55 ... +150

150

-55 ... +150

°C

• Low R_{DS (on)}HDMOS^TMprocess

• Rugged polysilicon gate cell structure

• Unclamped Inductive Switching (UIS)

rated

• Low package inductance

• Fast intrinsic Rectifier

T_L

1.6 mm (0.063 in) from case for 10 s

300

°C

V_ISOL

50/60 Hz, RMS

_ISOL≤ 1 mA

t = 1 min

t = 1 s

2500

3000

M_d

Mounting torque

Terminal connection torque

1.5/13 Nm/lb.in.

Weight

Applications

• DC-DC converters

• Synchronous rectification

• Battery chargers

• Switched-mode and resonant-mode

power supplies

• DC choppers

• Temperature and lighting controls

• Low voltage relays

Symbol

TestConditions

CharacteristicValues

(T_J= 25°C, unless otherwise specified)

Min.

1000

3.0

Typ.

Max.

V_DSS

V_GS(th)

I_GSS

V_GS= 0 V, I_D= 3mA

V_DS= V_GS, I_D= 8mA

V_GS= ±20V, V_GS= 0V

5.0

±100 nA

I_DSS

V_DS= V_DSS

V_GS= 0 V

T_J= 25°C

T_J= 125°C

100 µA

Advantages

• Easy to mount

• Space savings

• High power density

R_DS(on)

V_GS= 10V, I_D= 0.5 • I_D25

Note 2

23N100

24N100

0.43

0.39

Ω

«=OMMM=fuvp=^ää=êáÖÜíë=êÉëÉêîÉÇ

VURVTa= ENMLMMF

12 3 4

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型号	品牌	替代类型	描述	数据表
IXFE23N100	IXYS	类似代替	Single MOSFET Die

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IXFN240N15T2	IXYS	获取价格	GigaMOS TrenchT2 HiperFET Power MOSFET
IXFN240N15T2	LITTELFUSE	获取价格	这些器件具有40V至170V的漏极 - 源极电压额定值，并可提供高达600安培的高电流性能
IXFN240N25X3	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IXFN24N100	IXYS	获取价格	HiPerRF Power MOSFETs
IXFN24N100	LITTELFUSE	获取价格	功能与特色: 应用: 优点:
IXFN24N100_08	IXYS	获取价格	HiPerFET Power MOSFET
IXFN24N100F	IXYS	获取价格	HiPerRF Power MOSFETs
IXFN24N80	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 34A I(D), 800V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide
IXFN24N90Q	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 24A I(D), 900V, 0.45ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
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