5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > IXFN27N80
IXFN27N80 PDF预览

IXFN27N80

更新时间： 2024-11-06 14:56:19
品牌 Logo 应用领域
力特 - LITTELFUSE /
页数 文件大小 规格书
5页 241K
描述
功能与特色: 应用: 优点:

阅读下载

中文翻译

获取价格

IXFN27N80 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Not Recommended
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PUFM-X4Reach Compliance Code：compliant
风险等级：5.33其他特性：AVALANCHE RATED
外壳连接：ISOLATED配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：800 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：27 A
最大漏极电流 (ID)：27 A最大漏源导通电阻：0.3 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PUFM-X4
元件数量：1端子数量：4
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL功耗环境最大值：520 W
最大功率耗散 (Abs)：520 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：108 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：NO端子面层：Nickel (Ni)
端子形式：UNSPECIFIED端子位置：UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

IXFN27N80 数据手册

 浏览型号IXFN27N80的Datasheet PDF文件第2页浏览型号IXFN27N80的Datasheet PDF文件第3页浏览型号IXFN27N80的Datasheet PDF文件第4页浏览型号IXFN27N80的Datasheet PDF文件第5页 
Not for New Designs  
VDSS  
ID25  
RDS(on)  
HiPerFETTM Power MOSFETs  
IXFK 27N80  
800 V 27 A 0.30 Ω  
800 V 25 A 0.35 Ω  
800 V 27 A 0.30 Ω  
800 V 25 A 0.35 Ω  
IXFK 25N80  
IXFN 27N80  
IXFN 25N80  
N-ChannelEnhancementMode  
AvalancheRated, Highdv/dt, Lowtrr  
TO-264AA(IXFK)  
Symbol  
TestConditions  
Maximum Ratings  
IXFK  
IXFN  
VDSS  
VDGR  
TJ = 25°C to 150°C  
800  
800  
800  
800  
V
V
TJ = 25°C to 150°C; RGS = 1 MΩ  
(TAB)  
G
D
VGS  
Continuous  
Transient  
±20  
±30  
±20  
±30  
V
V
S
VGSM  
miniBLOC,SOT-227B(IXFN)  
ID25  
IDM  
IAR  
TC = 25°C, Chip capability  
27N80 27  
25N80 25  
27  
25  
108  
100  
14  
A
E153432  
S
A
A
A
A
A
G
TC = 25°C, pulse width limited by TJM 27N80 108  
TC = 25°C  
D
25N80 100  
27N80 14  
25N80 13  
G
13  
S
EAR  
TC= 25°C  
30  
5
30  
5
mJ  
S
D
S
dv/dt  
IS≤ IDM, di/dt ≤ 100 A/µs, VDD ≤ VDSS  
TJ ≤ 150°C, RG = 2 Ω  
,
V/ns  
G = Gate  
S = Source  
D = Drain  
TAB = Drain  
Either Source terminal at miniBLOC can be used  
as Main or Kelvin Source  
PD  
TC = 25°C  
500  
520  
W
TJ  
-55 ... +150  
150  
-55 ... +150  
300  
°C  
°C  
°C  
TJM  
Tstg  
Features  
TL  
1.6 mm (0.063 in) from case for 10 s  
-
°C  
• International standard packages  
• JEDECTO-264 AA,epoxymeet  
UL 94 V-0, flammability classification  
• miniBLOC, with Aluminium nitride  
isolation  
VISOL  
50/60 Hz, RMS  
ISOL ≤ 1 mA  
t = 1 min  
t = 1 s  
-
-
2500  
3000  
V~  
V~  
I
Md  
Mounting torque  
Terminal connection torque  
0.9/6  
-
1.5/13 Nm/lb.in.  
1.5/13 Nm/lb.in.  
• Low RDS (on) HDMOSTM process  
• Rugged polysilicon gate cell structure  
• Unclamped Inductive Switching (UIS)  
rated  
• Low package inductance  
• Fast intrinsic Rectifier  
Weight  
Symbol  
10  
30  
g
TestConditions  
Characteristic Values  
(TJ = 25°C, unless otherwise specified)  
min.  
typ.  
max.  
Applications  
VDSS  
VGS = 0 V, ID = 3 mA  
800  
V
VDSS temperature coefficient  
0.096  
%/K  
• DC-DC converters  
• Battery chargers  
• Switched-mode and resonant-mode  
power supplies  
VGH(th)  
VDS = VGS, ID = 8 mA  
2
4.5  
V
VGS(th) temperature coefficient  
-0.214  
%/K  
• DC choppers  
• Temperature and lighting controls  
IGSS  
IDSS  
VGS = ±20 VDC, VDS = 0  
±200 nA  
500 µA  
VDS = 0.8 • VDSS  
VGS = 0 V  
TJ = 25°C  
TJ = 125°C  
2
mA  
Advantages  
RDS(on)  
VGS = 10 V, ID = 0.5 • ID25  
Pulse test, t ≤ 300 µs,  
duty cycle d ≤ 2 %  
• Easy to mount  
• Space savings  
• High power density  
25N80  
27N80  
0.35  
0.30  
Ω
Ω
95561D(6/02)  
© 2002 IXYS All rights reserved  
12345

中文翻译

下载PDF

与IXFN27N80相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IXFN27N80Q IXYS

获取价格

 		HiPerFET Power MOSFETs Q-Class
IXFN27N80Q LITTELFUSE

获取价格

 		功能与特色: 应用: 优点:
IXFN280N07 IXYS

获取价格

 		HiPerFET Power MOSFETs Single Die MOSFET
IXFN280N07 LITTELFUSE

获取价格

 		功能与特色: 应用: 优点:
IXFN280N07_08 IXYS

获取价格

 		HiPerFET Power MOSFETs Single Die MOSFET
IXFN280N085 IXYS

获取价格

 		HiPerFET Power MOSFETs Single Die MOSFET
IXFN280N085 LITTELFUSE

获取价格

 		功能与特色: 应用: 优点:
IXFN300N10P IXYS

获取价格

 		Polar Power MOSFET HiPerFET
IXFN300N10P LITTELFUSE

获取价格

 		功能与特色: 优点: 应用:
IXFN300N20X3 LITTELFUSE

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor,

与IXFN27N80相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证