5秒后页面跳转
| 生命周期： | Transferred | Reach Compliance Code： | compliant |
| 风险等级： | 5.72 | 其他特性： | AVALANCHE RATED |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 800 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 34 A | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码： | R-PUFM-X4 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 4 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | UNSPECIFIED | 端子位置： | UPPER |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IXFN24N90Q | IXYS |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 24A I(D), 900V, 0.45ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
|
| IXFN25N80 | IXYS |
获取价格 |
HiPerFETTM Power MOSFETs |
|
| IXFN25N90 | IXYS |
获取价格 |
HiPerFET Power MOSFETs Single Die MOSFET |
|
| IXFN-25N90 | IXYS |
获取价格 |
HiPerFETTM Power MOSFETs Single Die MOSFET |
|
| IXFN260N17T | IXYS |
获取价格 |
GigaMOS Power MOSFET |
|
| IXFN26N100P | IXYS |
获取价格 |
Polar Power MOSFET HiPerFET |
|
| IXFN26N100P | LITTELFUSE |
获取价格 |
功能与特色: 优点: 应用: |
|
| IXFN26N120P | IXYS |
获取价格 |
Polar Power MOSFET |
|
| IXFN26N120P | LITTELFUSE |
获取价格 |
功能与特色: 优点: 应用: |
|
| IXFN26N90 | IXYS |
获取价格 |
HiPerFET Power MOSFETs Single Die MOSFET |
|
塔塔电子与力积电达成技术转让协议，携手建设印度首座晶圆厂
英特尔震撼发布：128核心256线程的至强6性能核处理器
SK海力士量产12层HBM3E，容量高达36GB
意法半导体传感器驱动Sphere，开启沉浸式电影新时代
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
