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IXFN-25N90

更新时间： 2022-11-10 23:44:18

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描述
HiPerFETTM Power MOSFETs Single Die MOSFET

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IXFN-25N90 数据手册

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HiPerFET^TMPower MOSFETs

Single Die MOSFET

V_DSS

I_{D (cont)}R_DS(on)

t_rr

900 V

900 V

26 A 0.30 W 250 ns

25 A 0.33 W 250 ns

IXFN 26N90

IXFN 25N90

N-Channel Enhancement Mode

D

Avalanche Rated, High dv/dt, Low t_rr

G

S

Preliminary data sheet

S

Symbol

TestConditions

MaximumRatings

miniBLOC, SOT-227 B (IXFN)

E153432

V_DSS

V_DGR

T_J= 25°C to 150°C

900

900

V

V

S

T_J= 25°C to 150°C; R_GS= 1 MW

G

V_GS

Continuous

Transient

±20

±30

V

V

V_GSM

S

I_D25

I_DM

I_AR

T_C= 25°C

26N90

25N90

26N90

25N90

26N90

25N90

26

25

104

100

26

A

A

A

D

T_C= 25°C, pulse width limited by T_JM

T_C= 25°C

G = Gate

S = Source

D = Drain

25

Either Source terminal at miniBLOC can be used

as Main or Kelvin Source

E_AR

T_C= 25°C

T_C= 25°C

64

3

mJ

J

E_AS

dv/dt

I_S£ I_DM, di/dt £ 100 A/ms, V_DD£ V_DSS

T_J£ 150°C, R_G= 2 W

,

5

V/ns

P_D

T_C= 25°C

600

W

Features

T_J

-55 ... +150

150

°C

°C

°C

• Internationalstandardpackage

• miniBLOC, withAluminiumnitride

isolation

• Low R_{DS (on)}HDMOS^TMprocess

• Rugged polysilicon gate cell structure

• Unclamped Inductive Switching (UIS)

rated

T_JM

T_stg

-55 ... +150

T_J

1.6 mm (0.63 in) from case for 10 s

-

°C

V_ISOL

50/60 Hz, RMS

I_ISOL£ 1 mA

t = 1 min

t = 1 s

2500

3000

V~

V~

• Low package inductance

• Fast intrinsic Rectifier

M_d

Mountingtorque

Terminalconnectiontorque

1.5/13 Nm/lb.in.

1.5/13 Nm/lb.in.

Weight

Symbol

30

g

Applications

• DC-DC converters

• Battery chargers

• Switched-modeandresonant-mode

powersupplies

• DC choppers

TestConditions

CharacteristicValues

(T_J= 25°C, unless otherwise specified)

min. typ. max.

V_DSS

V_GS= 0 V, I_D= 3 mA

V_DS= V_GS, I_D= 8 mA

900

3.0

V

V

V_GH(th)

5.0

• Temperatureandlightingcontrols

I_GSS

I_DSS

V_GS= ±20 V_DC, V_DS= 0

±200 nA

100 mA

V_DS= 0.8 • V_DSS

V_GS= 0 V

T_J= 25°C

T_J= 125°C

Advantages

2

mA

• Easy to mount

• Space savings

• High power density

R_DS(on)

V_GS

= 10 V, I_D= 0.5 • I_D25

26N90

25N90

0.30

0.33

W

W

Pulse test, t £ 300 ms, duty cycle d £ 2 %

IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.

© 2000 IXYS All rights reserved

97526E(10/99)

1 - 4

12 3 4

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