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IXFN25N90

更新时间： 2024-11-04 22:41:15

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4页	144K
描述
HiPerFET Power MOSFETs Single Die MOSFET

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IXFN25N90 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PUFM-X4
针数：	4	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.81	其他特性：	AVALANCHE RATED, UL RECOGNIZED
雪崩能效等级（Eas）：	3000 mJ	外壳连接：	ISOLATED
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	900 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	25 A	最大漏极电流 (ID)：	25 A
最大漏源导通电阻：	0.33 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PUFM-X4	元件数量：	1
端子数量：	4	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	600 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	100 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	NO	端子面层：	Nickel (Ni)
端子形式：	UNSPECIFIED	端子位置：	UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON

IXFN25N90 数据手册

HiPerFET^TMPower MOSFETs

Single Die MOSFET

V_DSS

I_{D (cont)}R_DS(on)

t_rr

900 V

26 A 0.30 W 250 ns

25 A 0.33 W 250 ns

IXFN 26N90

IXFN 25N90

N-Channel Enhancement Mode

Avalanche Rated, High dv/dt, Low t_rr

Preliminary data sheet

Symbol

TestConditions

MaximumRatings

miniBLOC, SOT-227 B (IXFN)

E153432

V_DSS

V_DGR

T_J= 25°C to 150°C

900

T_J= 25°C to 150°C; R_GS= 1 MW

V_GS

Continuous

Transient

±20

±30

V_GSM

I_D25

I_DM

I_AR

T_C= 25°C

26N90

25N90

26N90

25N90

26N90

25N90

104

100

T_C= 25°C, pulse width limited by T_JM

T_C= 25°C

G = Gate

S = Source

D = Drain

Either Source terminal at miniBLOC can be used

as Main or Kelvin Source

E_AR

T_C= 25°C

E_AS

dv/dt

I_S£ I_DM, di/dt £ 100 A/ms, V_DD£ V_DSS

T_J£ 150°C, R_G= 2 W

V/ns

P_D

T_C= 25°C

600

Features

T_J

-55 ... +150

150

°C

• Internationalstandardpackage

• miniBLOC, withAluminiumnitride

isolation

• Low R_{DS (on)}HDMOS^TMprocess

• Rugged polysilicon gate cell structure

• Unclamped Inductive Switching (UIS)

rated

T_JM

T_stg

-55 ... +150

T_J

1.6 mm (0.63 in) from case for 10 s

°C

V_ISOL

50/60 Hz, RMS

I_ISOL£ 1 mA

t = 1 min

t = 1 s

2500

3000

• Low package inductance

• Fast intrinsic Rectifier

M_d

Mountingtorque

Terminalconnectiontorque

1.5/13 Nm/lb.in.

Weight

Symbol

Applications

• DC-DC converters

• Battery chargers

• Switched-modeandresonant-mode

powersupplies

• DC choppers

TestConditions

CharacteristicValues

(T_J= 25°C, unless otherwise specified)

min. typ. max.

V_DSS

V_GS= 0 V, I_D= 3 mA

V_DS= V_GS, I_D= 8 mA

900

3.0

V_GH(th)

5.0

• Temperatureandlightingcontrols

I_GSS

I_DSS

V_GS= ±20 V_DC, V_DS= 0

±200 nA

100 mA

V_DS= 0.8 • V_DSS

V_GS= 0 V

T_J= 25°C

T_J= 125°C

Advantages

• Easy to mount

• Space savings

• High power density

R_DS(on)

V_GS

= 10 V, I_D= 0.5 • I_D25

26N90

25N90

0.30

0.33

Pulse test, t £ 300 ms, duty cycle d £ 2 %

IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.

97526E(10/99)

1 - 4

12 3 4

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型号	品牌	替代类型	描述	数据表
IXFN26N90	IXYS	类似代替	HiPerFET Power MOSFETs Single Die MOSFET
IXFN27N80Q	IXYS	类似代替	HiPerFET Power MOSFETs Q-Class
IXFN27N80	IXYS	类似代替	HiPerFETTM Power MOSFETs

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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IXFN260N17T	IXYS	获取价格	GigaMOS Power MOSFET
IXFN26N100P	IXYS	获取价格	Polar Power MOSFET HiPerFET
IXFN26N100P	LITTELFUSE	获取价格	功能与特色: 优点: 应用:
IXFN26N120P	IXYS	获取价格	Polar Power MOSFET
IXFN26N120P	LITTELFUSE	获取价格	功能与特色: 优点: 应用:
IXFN26N90	IXYS	获取价格	HiPerFET Power MOSFETs Single Die MOSFET
IXFN26N90	LITTELFUSE	获取价格	功能与特色: 应用: 优点:
IXFN-26N90	IXYS	获取价格	HiPerFETTM Power MOSFETs Single Die MOSFET
IXFN27N120SK	LITTELFUSE	获取价格	工业级单开关SiC MOSFET采用带有4个连接器的UL认证SOT227B封装，提供300

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