IXFN26N100P

更新时间： 2024-02-29 16:58:05

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IXYS		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
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Polar Power MOSFET HiPerFET

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IXFN26N100P 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PUFM-X4	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.76	其他特性：	AVALANCHE RATED, UL RECOGNIZED
雪崩能效等级（Eas）：	1000 mJ	外壳连接：	ISOLATED
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	1000 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	23 A	最大漏极电流 (ID)：	23 A
最大漏源导通电阻：	0.39 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PUFM-X4	元件数量：	1
端子数量：	4	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	595 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	65 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	NO	端子面层：	Nickel (Ni)
端子形式：	UNSPECIFIED	端子位置：	UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

IXFN26N100P 数据手册

Polar^TMPower MOSFET

HiPerFET^TM

V_DSS= 1000V

I_D25= 23A

R_DS(on)≤ 390mΩ

≤ 300ns

IXFN26N100P

N-Channel Enhancement Mode

Avalanche Rated

Fast Intrinsic Diode

t_rr

miniBLOC, SOT-227 B (IXFN)

E153432

Symbol

V_DSS

Test Conditions

Maximum Ratings

T_J= 25°C to 150°C

1000

V_DGR

T_J= 25°C to 150°C, R_GS= 1MΩ

V_GSS

V_GSM

Continuous

Transient

± 30

± 40

I_D25

I_DM

T_C= 25°C

D = Drain

T_C= 25°C, pulse width limited by T_JM

G = Gate

S = Source

I_AR

T_C= 25°C

E_AS

1.0

Either Source terminal S can be used as the

Source terminal or the Kelvin Source (gate

return) terminal.

dV/dt

P_D

I_S≤ I_DM, V_DD≤ V_DSS, T_J≤ 150°C

T_C= 25°C

V/ns

595

Features

T_J

-55 ... +150

150

°C

^zInternational standard package

^zEncapsulating epoxy meets

UL94V-0, flammability classification

^zminiBLOC with Aluminium nitride

isolation

T_JM

T_stg

-55 ... +150

T_L

1.6mm (0.062 in.) from case for 10s

300

°C

^zFast recovery diode

V_ISOL

50/60 Hz, RMS

t = 1min

2500

3000

^zUnclamped Inductive Switching (UIS)

rated

I_ISOL≤ 1mA

t = 1s

M_d

Mounting torque

Terminal connection torque

1.5/13

1.3/11.5

Nm/lb.in.

^zLow package inductance

- easy to drive and to protect

Weight

Advantages

Easy to mount

Space savings

High power density

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

(T_J= 25°C, unless otherwise specified)

Min.

Typ. Max.

Applications

BV_DSS

V_GS(th)

I_GSS

V_GS= 0V, I_D= 3mA

V_DS= V_GS, I_D= 1mA

V_GS= ± 30V, V_DS= 0V

1000

3.5

^zSwitched-mode and resonant-mode

power supplies

6.5

± 200 nA

^zDC-DC Converters

^zLaser Drivers

I_DSS

V_DS= V_DSS

V_GS= 0V

25 μA

2.0 mA

^zAC and DC motor controls

^zRobotics and servo controls

T_J= 125°C

R_DS(on)

V_GS= 10V, I_D= 13A, Note 1

390 mΩ

DS99878A(4/08)

12 3 4

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型号	品牌	替代类型	描述	数据表
IXFE24N100	IXYS	类似代替	Single MOSFET Die
IXFR24N100	IXYS	功能相似	HiPerFETTM Power MOSFETs ISOPLUS247TM(Electrically Isolated Back Surface)

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXFN26N120P	IXYS	获取价格	Polar Power MOSFET
IXFN26N120P	LITTELFUSE	获取价格	功能与特色: 优点: 应用:
IXFN26N90	IXYS	获取价格	HiPerFET Power MOSFETs Single Die MOSFET
IXFN26N90	LITTELFUSE	获取价格	功能与特色: 应用: 优点:
IXFN-26N90	IXYS	获取价格	HiPerFETTM Power MOSFETs Single Die MOSFET
IXFN27N120SK	LITTELFUSE	获取价格	工业级单开关SiC MOSFET采用带有4个连接器的UL认证SOT227B封装，提供300
IXFN27N80	IXYS	获取价格	HiPerFETTM Power MOSFETs
IXFN27N80	LITTELFUSE	获取价格	功能与特色: 应用: 优点:
IXFN27N80Q	IXYS	获取价格	HiPerFET Power MOSFETs Q-Class
IXFN27N80Q	LITTELFUSE	获取价格	功能与特色: 应用: 优点:

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