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IXFN300N10P

更新时间： 2024-01-31 14:18:06

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IXYS		/
页数	文件大小	规格书
4页	119K
描述
Polar Power MOSFET HiPerFET

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IXFN300N10P 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.33
Base Number Matches：	1

IXFN300N10P 数据手册

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Preliminary Technical Information

Polar^TMPower MOSFET

V_DSS= 100V

I_D25= 295A

R_DS(on)≤ 5.5mΩ

≤ 200ns

IXFN300N10P

HiPerFET^TM

N-Channel Enhancement Mode

Avalanche Rated

t_rr

Fast Intrinsic Diode

Symbol

V_DSS

Test Conditions

Maximum Ratings

T_J= 25°C to 175°C

100

100

V

V

miniBLOC, SOT-227 B

E153432

V_DGR

T_J= 25°C to 175°C, R_GS= 1MΩ

S

V_GSS

V_GSM

Continuous

Transient

±20

V

V

G

± 30

I_D25

I_LRMS

I_DM

T_C= 25°C

External lead current limit

T_C= 25°C, pulse width limited by T_JM

295

100

900

A

A

A

S

D

I_A

T_C= 25°C

T_C= 25°C

100

3

A

J

G = Gate

S = Source

D = Drain

E_AS

Either Source terminal at miniBLOC can be used

as Main or Kelvin Source

dV/dt

P_D

I_S≤ I_DM, V_DD≤ V_DSS, T_J≤ 175°C

T_C= 25°C

20

V/ns

W

1070

T_J

-55 ... +175

175

°C

°C

°C

Features

T_JM

T_stg

• Fast intrinsic diode

-55 ... +175

• Avalanche Rated

• Low R_DS(ON)and Q_G

T_L

1.6mm (0.062 in.) from case for 10s

300

°C

• Low package inductance

^zHigh current capability

^zIsolation voltage 3000 V~

^zInternational standard package

V_ISOL

50/60 Hz, RMS

t = 1min

2500

3000

V~

V~

I_ISOL≤ 1mA

t = 1s

M_d

Mounting torque

Terminal connection torque

1.5/13

1.3/11.5

Nm/lb.in.

Nm/lb.in.

Advantages

Weight

30

g

z

Easy to mount

Space savings

High power density

Low gate drive requirement

z

z

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

z

(T_J= 25°C, unless otherwise specified)

Min.

Typ.

Max.

BV_DSS

V_GS(th)

I_GSS

V_GS= 0V, I_D= 3mA

V_DS= V_GS, I_D= 8mA

V_GS= ±20V, V_DS= 0V

100

V

V

Applications

3.0

5.0

±200

25

• DC-DC coverters

• Battery chargers

• Switched-mode and resonant-mode

power supplies

• DC choppers

nA

I_DSS

V_DS= V_DSS

V_GS= 0V

μA

1.5 mA

T_J= 150°C

• AC and DC motor drives

• Uninterrupted power supplies

• High speed power switching

applications

R_DS(on)

V_GS= 10V, I_D= 50A, Note 1

5.5 mΩ

DS100016(07/08)

© 2008 IXYS CORPORATION, All rights reserved

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