Datasheet > IXFN32N80P

IXFN32N80P

更新时间： 2024-02-11 18:40:59

品牌	Logo	应用领域
IXYS		/
页数	文件大小	规格书
4页	92K
描述
PolarHV HiPerFET Power MOSFET

阅读下载

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

IXFN32N80P 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Transferred	包装说明：	PLASTIC, MINIBLOC-4
针数：	4	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	4.59	其他特性：	AVALANCHE RATED
雪崩能效等级（Eas）：	5000 mJ	外壳连接：	ISOLATED
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	800 V
最大漏极电流 (ID)：	29 A	最大漏源导通电阻：	0.27 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PUFM-X4
元件数量：	1	端子数量：	4
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	250 A
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子面层：	Nickel (Ni)	端子形式：	UNSPECIFIED
端子位置：	UPPER	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON

IXFN32N80P 数据手册

PolarHV^TMHiPerFET

Power MOSFET

IXFN32N80P

V_DSS= 800 V

I_D25= 25 A

R_DS(on)≤ 270 mΩ

t_rr

≤ 250 ns

N-Channel Enhancement Mode

Avalanche Rated

Fast Intrinsic Diode

Symbol

Test Conditions

Maximum Ratings

miniBLOC, SOT-227 B (IXFN)

E153432

V_DSS

V_DGR

T_J= 25°C to 150°C

800

T_J= 25°C to 150°C; R_GS= 1 MΩ

V_GSS

V_GSM

Continuous

Transient

I_D25

I_DM

T_C= 25°C

T_C= 25°C, pulse width limited by T_JM

250

I_AR

T_C= 25°C

G = Gate

D = Drain

S = Source

E_AR

E_AS

T_C= 25°C

100

Either Source terminal S can be used as the

Source terminal or the Kelvin Source (gate

return) terminal.

dv/dt

P_D

I_S≤ I_DM, di/dt ≤ 100 A/μs, V_DD≤ V_DSS

T_J≤ 150°C, R_G= 2 Ω

V/ns

T_C= 25°C

625

T_J

T_JM

T_stg

-55 ... +150

150

-55 ... +150

°C

Features

• International standard package

• Encapsulating epoxy meets

UL94V-0, flammability classification

• miniBLOC with Aluminium nitride

isolation

T_L

1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s

300

2500

3000

°C

V_ISOL

50/60 Hz, RMS

t = 1 min

I_ISOL≤ 1 mA

t = 1 s

M_d

Mounting torque

Terminal connection torque

1.5 / 13 Nm/lb.in.

Fast recovery diode

Unclamped Inductive Switching (UIS)

rated

Weight

Low package inductance

- easy to drive and to protect

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

Advantages

(T_J= 25°C, unless otherwise specified)

Min. Typ.

Max.

Easy to mount

Space savings

High power density

BV_DSS

V_GS(th)

I_GSS

V_GS= 0 V, I_D= 3 mA

V_DS= V_GS, I_D= 8 mA

V_GS= 30 V, V_DS= 0 V

800

3.0

5.0

200

I_DSS

V_DS= V_DSS

V_GS= 0 V

μA

T_J= 125°C

R_DS(on)

V_GS= 10 V, I_D= 16A, Note 1

270 mΩ

DS99605E(08/06)

12 3 4

下载PDF

与IXFN32N80P相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
IXFN340N06	IXYS	HiPerFET Power MOSFETs Single Die MOSFET	获取价格
IXFN340N06	LITTELFUSE	功能与特色: 应用: 优点:	获取价格
IXFN340N07	IXYS	HiPerFET Power MOSFETs Single Die MOSFET	获取价格
IXFN340N07	LITTELFUSE	功能与特色: 应用: 优点:	获取价格
IXFN340N07_04	IXYS	HiPerFET⑩ Power MOSFETs Single Die MOSFET	获取价格
IXFN34N100	IXYS	HiPerFET Power MOSFETs Single Die MOSFET	获取价格