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IXFN36N100

更新时间： 2024-11-17 22:47:59

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描述
HiPerFET Power MOSFETs Single Die MOSFET

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IXFN36N100 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PUFM-X4
针数：	4	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	8.49
其他特性：	AVALANCHE RATED	雪崩能效等级（Eas）：	4000 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	1000 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	36 A
最大漏极电流 (ID)：	36 A	最大漏源导通电阻：	0.24 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PUFM-X4
元件数量：	1	端子数量：	4
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	700 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	144 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	NO
端子面层：	Nickel (Ni)	端子形式：	UNSPECIFIED
端子位置：	UPPER	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

IXFN36N100 数据手册

HiPerFET^TM

Power MOSFETs

Single Die MOSFET

IXFN 36N100

V_DSS= 1000V

I_D2536A

R_DS(on)= 0.24Ω

N-ChannelEnhancementMode

AvalancheRated, Highdv/dt, Lowt_rr

Symbol

TestConditions

Maximum Ratings

miniBLOC,SOT-227B(IXFN)

E153432

V_DSS

V_DGR

T_J= 25°C to 150°C

1000

T_J= 25°C to 150°C; R_GS= 1 MΩ

V_GS

Continuous

Transient

±20

±30

V_GSM

I_D25

T_C= 25°C,

Chip

capability36

I_DM

I_AR

T_C= 25°C, pulse width limited by T_JM

T_C= 25°C

144

G = Gate

S = Source

D = Drain

TAB = Drain

E_AR

T_C= 25°C

E_AS

Either Source terminal at miniBLOC can be used

as Main or Kelvin Source

dv/dt

I_S≤ I_DM, di/dt ≤ 100 A/µs, V_DD≤ V_DSS

V/ns

T_J≤ 150°C, R_G= 2 Ω

Features

P_D

T_C= 25°C

700

• Internationalstandardpackages

• miniBLOC, withAluminiumnitride

isolation

• Low R_{DS (on)}HDMOS^TMprocess

T_J

-55 ... +150

150

°C

T_JM

T_stg

-55 ... +150

• Ruggedpolysilicongatecellstructure

• UnclampedInductiveSwitching(UIS)

rated

V_ISOL

M_d

50/60 Hz, RMS

I_ISOL≤ 1 mA

t = 1 min

t = 1 s

2500

3000

Mounting torque

Terminal connection torque

1.5/13 Nm/lb.in.

• Lowpackageinductance

• FastintrinsicRectifier

Weight

Applications

• DC-DC converters

• Batterychargers

• Switched-modeandresonant-mode

power supplies

Symbol

TestConditions

Characteristic Values

(T_J= 25°C, unless otherwise specified)

min. typ. max.

V_DSS

V_GS= 0 V, I_D= 3 mA

V_DS= V_GS, I_D= 8 mA

1000

2.5

• DC choppers

V_GH(th)

5.0

• Temperatureandlightingcontrols

I_GSS

I_DSS

V_GS= ±20 V_DC, V_DS= 0

±200 nA

100 µA

V_DS= V_DSS

V_GS= 0 V

T_J= 25°C

T_J= 125°C

Advantages

• Easy to mount

• Space savings

• High power density

R_DS(on)

V_GS= 10 V, I_D= 0.5 I_D25

Pulse test, t ≤ 300 µs,

duty cycle d ≤ 2 %

0.24

Ω

98520C (02/01)

12 3 4

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