IXFN34N80

更新时间： 2024-11-04 22:11:55

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IXYS		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
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4页	132K
描述
HiPerFETTM Power MOSFETs Single DieMOSFET

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IXFN34N80 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-XUFM-X4
针数：	4	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.81	Is Samacsys：	N
其他特性：	AVALANCHE RATED, UL RECOGNIZED	雪崩能效等级（Eas）：	3000 mJ
外壳连接：	ISOLATED	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	800 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	34 A
最大漏极电流 (ID)：	34 A	最大漏源导通电阻：	0.24 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-XUFM-X4
元件数量：	1	端子数量：	4
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	UNSPECIFIED	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	600 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	136 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	NO
端子面层：	Nickel (Ni)	端子形式：	UNSPECIFIED
端子位置：	UPPER	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

IXFN34N80 数据手册

HiPerFET^TMPower MOSFETs

Single DieMOSFET

IXFN 34N80

V_DSS= 800 V

I_D25= 34 A

R_DS(on)= 0.24 W

N-Channel Enhancement Mode

Avalanche Rated, High dv/dt, Low t_rr

t_rr£ 250 ns

Preliminary data sheet

Symbol Test Conditions

MaximumRatings

miniBLOC, SOT-227 B

E153432

V_DSS

V_DGR

T_J= 25°C to 150°C

800

T_J= 25°C to 150°C; R_GS= 1 MW

V_GS

V_GSM

Continuous

Transient

±20

±30

I_D25

I_DM

I_AR

T_C= 25°C

T_C= 25°C, pulse width limited by T_JM

136

G = Gate

S = Source

D = Drain

E_AR

E_AS

T_C= 25°C

Either Source terminal of miniBLOC can be used

as Main or Kelvin Source

dv/dt

I_S£ I_DM, di/dt £ 100 A/ms, V_DD£ V_DSS

T_J£ 150°C, R_G= 2 W

V/ns

P_D

T_C= 25°C

600

T_J

-55 ... +150

150

°C

T_JM

T_stg

Features

-55 ... +150

· Internationalstandardpackages

· miniBLOC,withAluminiumnitride

isolation

T_L

1.6 mm (0.063 in) from case for 10 s

300

°C

V_ISOL

50/60 Hz, RMS

I_ISOL£ 1 mA

t = 1 min

t = 1 s

2500

3000

· Low R_{DS (on)}HDMOS^TMprocess

· Rugged polysilicon gate cell structure

· UnclampedInductiveSwitching(UIS)

rated

M_d

Mountingtorque

Terminalconnectiontorque

1.5/13 Nm/lb.in.

· Low package inductance

· Fast intrinsic Rectifier

Weight

Symbol

TestConditions

CharacteristicValues

Applications

(T_J= 25°C, unless otherwise specified)

· DC-DC converters

· Battery chargers

min.

typ.

max.

V_DSS

V_GS= 0 V, I_D= 3 mA

800

· Switched-modeandresonant-mode

powersupplies

· DC choppers

V_DSStemperature coefficient

0.096

%/K

V_GS(th)

V_DS= V_GS, I_D= 8 mA

3.0

5.0

· Temperatureandlightingcontrols

V_GS(th)temperature coefficient

-0.214

%/K

I_GSS

I_DSS

V_GS= ±20 V_DC, V_DS= 0

±200

Advantages

V_DS= V_DSS

V_GS= 0 V

T_J= 25°C

T_J= 125°C

100

· Easy to mount

· Space savings

· High power density

R_DS(on)

V_GS= 10 V, I_D= 0.5 • I_D25

Pulse test, t £ 300 ms,

duty cycle d £ 2 %

0.24

IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.

98529D(6/99)

1 - 4

12 3 4

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型号	品牌	替代类型	描述	数据表
IXFN50N80Q2	IXYS	类似代替	HiPerFET Power MOSFETs Q-Class
IXKN45N80C	IXYS	类似代替	CoolMOS Power MOSFET
IXFN44N80	IXYS	类似代替	HiPerFETTM Power MOSFETs Single MOSFET Die

与IXFN34N80相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXFN35N50	IXYS	获取价格	HIPERFET Power MOSFTETs
IXFN35N50	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET,
IXFN360N10T	IXYS	获取价格	GigaMOS Trench HiperFET Power MOSFET
IXFN360N10T	LITTELFUSE	获取价格	沟槽栅功率MOSFET适用于低电压/高电流应用，所需的RDS(on)极低，因此确保了非常低
IXFN360N15T2	IXYS	获取价格	GigaMOSTrenchT2 HiperFET Power MOSFET
IXFN360N15T2	LITTELFUSE	获取价格	这些器件具有40V至170V的漏极 - 源极电压额定值，并可提供高达600安培的高电流性能
IXFN36N100	IXYS	获取价格	HiPerFET Power MOSFETs Single Die MOSFET
IXFN36N100	LITTELFUSE	获取价格	功能与特色: 应用: 优点:
IXFN36N110P	IXYS	获取价格	Polar Power MOSFET HiPerFET
IXFN36N60	IXYS	获取价格	HiPerFET Power MOSFET

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