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IXFN40N110P

更新时间： 2024-11-18 11:14:03

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描述
Polar Power MOSFET HiPerFET

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IXFN40N110P 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Transferred	包装说明：	PLASTIC, MINIBLOC-4
针数：	4	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	8.34	其他特性：	AVALANCHE RATED, UL RECOGNIZED
雪崩能效等级（Eas）：	2000 mJ	外壳连接：	ISOLATED
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	1100 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	34 A	最大漏极电流 (ID)：	34 A
最大漏源导通电阻：	0.26 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PUFM-X4	元件数量：	1
端子数量：	4	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	890 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	100 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	NO	端子面层：	Nickel (Ni)
端子形式：	UNSPECIFIED	端子位置：	UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

IXFN40N110P 数据手册

Polar^TMPower MOSFET

HiPerFET^TM

V_DSS= 1100V

I_D25= 34A

R_DS(on)≤ 260mΩ

≤ 300ns

IXFN40N110P

N-Channel Enhancement Mode

Avalanche Rated

Fast Intrinsic Diode

t_rr

miniBLOC, SOT-227 B (IXFN)

E153432

Symbol

V_DSS

Test Conditions

Maximum Ratings

T_J= 25°C to 150°C

1100

V_DGR

T_J= 25°C to 150°C, R_GS= 1MΩ

V_GSS

V_GSM

Continuous

Transient

± 30

± 40

I_D25

I_DM

T_C= 25°C

D = Drain

T_C= 25°C, pulse width limited by T_JM

100

G = Gate

S = Source

I_AR

T_C= 25°C

E_AS

Either Source terminal S can be used as the

Source terminal or the Kelvin Source (gate

return) terminal.

dV/dt

P_D

I_S≤ I_DM, V_DD≤ V_DSS, T_J≤ 150°C

T_C= 25°C

V/ns

890

Features

T_J

-55 ... +150

150

°C

• International standard package

• Encapsulating epoxy meets

UL94V-0, flammability classification

• miniBLOC with Aluminium nitride

isolation

T_JM

T_stg

-55 ... +150

T_L

1.6mm (0.062 in.) from case for 10s

300

°C

• Fast recovery diode

• Unclamped Inductive Switching (UIS)

rated

V_ISOL

50/60 Hz, RMS

t = 1min

2500

3000

I_ISOL≤ 1mA

t = 1s

• Low package inductance

- easy to drive and to protect

M_d

Mounting torque

Terminal connection torque

1.5/13

1.3/11.5

Nm/lb.in.

Advantages

Weight

• Easy to mount

• Space savings

• High power density

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

(T_J= 25°C, unless otherwise specified)

Min.

Typ. Max.

Applications:

BV_DSS

V_GS(th)

I_GSS

V_GS= 0V, I_D= 3mA

V_DS= V_GS, I_D= 1mA

V_GS= ± 30V, V_DS= 0V

1100

3.5

^zHigh Voltage Switched-mode and

resonant-mode power supplies

^zHigh Voltage Pulse Power Applications

^zHigh Voltage Discharge circuits in

Lasers Pulsers, Spark Igniters, RF

Generators

6.5

± 300 nA

I_DSS

V_DS= V_DSS

V_GS= 0V

50 μA

3 mA

T_J= 125°C

^zHigh Voltage DC-DC converters

^zHigh Voltage DC-AC inverters

R_DS(on)

V_GS= 10V, I_D= 20A, Note 1

260 mΩ

DS99901A(03/08)

12 3 4

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型号	品牌	替代类型	描述	数据表
IXFN36N110P	IXYS	类似代替	Polar Power MOSFET HiPerFET
IXFE36N100	IXYS	类似代替	HiPerFET-TM Power MOSFET

与IXFN40N110P相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXFN40N110Q3	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IXFN40N110Q3	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor
IXFN40N60	IXYS	获取价格	HiPerFET Power MOSFET
IXFN40N90P	IXYS	获取价格	Polar Power MOSFET HiPerFET
IXFN40N90P	LITTELFUSE	获取价格	功能与特色: 优点: 应用:
IXFN420N10T	IXYS	获取价格	GigaMOS Trench HiperFET Power MOSFET
IXFN420N10T	LITTELFUSE	获取价格	沟槽栅功率MOSFET适用于低电压/高电流应用，所需的RDS(on)极低，因此确保了非常低
IXFN43N60	IXYS	获取价格	HiPerFET Power MOSFET
IXFN44N100P	IXYS	获取价格	Polar Power MOSFET HiPerFET
IXFN44N100P	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 37A I(D), 1000V, 0.22ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me

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