是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Active |
包装说明: | FLANGE MOUNT, R-PUFM-X4 | Reach Compliance Code: | compliant |
风险等级: | 5.72 | 其他特性: | AVALANCHE RATED, UL RECOGNIZED |
雪崩能效等级(Eas): | 2000 mJ | 外壳连接: | ISOLATED |
配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压: | 1100 V |
最大漏极电流 (Abs) (ID): | 34 A | 最大漏极电流 (ID): | 34 A |
最大漏源导通电阻: | 0.26 Ω | FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JESD-30 代码: | R-PUFM-X4 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 4 | 工作模式: | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度: | 150 °C | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | FLANGE MOUNT |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型: | N-CHANNEL |
最大功率耗散 (Abs): | 890 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM): | 100 A |
认证状态: | Not Qualified | 子类别: | FET General Purpose Power |
表面贴装: | NO | 端子面层: | Nickel (Ni) |
端子形式: | UNSPECIFIED | 端子位置: | UPPER |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 晶体管应用: | SWITCHING |
晶体管元件材料: | SILICON | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
IXFN40N110Q3 | LITTELFUSE | Power Field-Effect Transistor, |
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IXFN40N110Q3 | IXYS | Power Field-Effect Transistor |
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IXFN40N60 | IXYS | HiPerFET Power MOSFET |
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IXFN40N90P | IXYS | Polar Power MOSFET HiPerFET |
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IXFN40N90P | LITTELFUSE | 功能与特色: 优点: 应用: |
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IXFN420N10T | IXYS | GigaMOS Trench HiperFET Power MOSFET |
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