IXFN44N50Q

更新时间： 2024-09-15 22:47:59

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IXYS		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
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描述
HiPerFET Power MOSFETs Q-Class

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IXFN44N50Q 技术参数

是否无铅：	不含铅	生命周期：	Transferred
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PUFM-X4	针数：	4
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.69	Is Samacsys：	N
其他特性：	AVALANCHE RATED	雪崩能效等级（Eas）：	2500 mJ
外壳连接：	ISOLATED	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	500 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	44 A
最大漏极电流 (ID)：	44 A	最大漏源导通电阻：	120 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PUFM-X4
元件数量：	1	端子数量：	4
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	500 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	176 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	NO
端子面层：	Nickel (Ni)	端子形式：	UNSPECIFIED
端子位置：	UPPER	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

IXFN44N50Q 数据手册

HiPerFET^TM

Power MOSFETs

Q-Class

V_DSSI_D25

R_DS(on)

IXFN 44N50Q

IXFN 48N50Q

500 V 44 A 120 mW

500 V 48 A 100 mW

t_rr£ 250 ns

N-Channel Enhancement Mode

Avalanche Rated, Low Q_g, High dv/dt

miniBLOC, SOT-227 B (IXFN)

E153432

Symbol

TestConditions

MaximumRatings

V_DSS

V_DGR

T_J= 25°C to 150°C

500

T_J= 25°C to 150°C; R_GS= 1 MW

V_GS

Continuous

Transient

±20

±30

V_GSM

I_D25

I_DM

I_AR

T_C= 25°C

44N50

48N50

G = Gate

S = Source

D = Drain

T_C= 25°C, pulse width limited by T_JM

44N50

48N50

176

192

Either Source terminal at miniBLOC can be used

as Main or Kelvin Source

T_C= 25°C

Features

E_AR

E_AS

2.5

• IXYS advanced low Q_gprocess

• Low gate charge and capacitances

- easier to drive

- faster switching

dv/dt

I_S£ I_DM, di/dt £ 100 A/ms, V_DD£ V_DSS

T_J£ 150°C, R_G= 2 W

V/ns

• UnclampedInductiveSwitching(UIS)

rated

P_D

T_C= 25°C

500

T_J

-55 to +150

150

°C

• Low R_{DS (on)}

• Fastintrinsicdiode

• Internationalstandardpackage

• miniBLOC withAluminiumnitride

isolationforlowthermalresistance

• Low terminal inductance (<10 nH) and

stray capacitance to heatsink (<35pf)

• Molding epoxies meet UL 94 V-0

flammabilityclassification

T_JM

T_stg

V_ISOL

-55 to +150

50/60 Hz, RMS t = 1 min

2500

3000

I_ISOL£ 1 mA

t = 1 s

M_d

Mountingtorque

Terminalconnectiontorque

1.5/13

Nm/lb.in.

Weight

Symbol

TestConditions

CharacteristicValues

(T_J= 25°C, unless otherwise specified)

Applications

• DC-DC converters

• Battery chargers

min.

typ.

max.

• Switched-modeandresonant-mode

powersupplies

V_DSS

V_GS= 0 V, I_D= 1 mA

V_DS= V_GS, I_D= 4 mA

500

2.0

V_GS(th)

4.0

• DC choppers

• Temperatureandlightingcontrols

I_GSS

I_DSS

V_GS= ±20 V_DC, V_DS= 0

±100

V_DS= V_DSS

V_GS= 0 V

T_J= 25°C

T_J= 125°C

100

Advantages

• Easy to mount

• Space savings

• High power density

R_DS(on)

V_GS= 10 V, I_D= 0.5 I_D25

44N50

48N50

120 mW

100 mW

Pulse test, t £ 300 ms, duty cycle d £ 2 %

IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.

98715(03/30/00)

1 - 2

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IXFN44N50Q 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
IXFN180N20	IXYS	类似代替	HiPerFET Power MOSFETs Single Die MOSFET
IXFN44N60	IXYS	类似代替	HiPerFET Power MOSFETs Single Die MOSFET
IXTN36N50	IXYS	类似代替	N-Channel Enhancement Mode

与IXFN44N50Q相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXFN44N50Q_03	IXYS	获取价格	HiPerFET Power MOSFETs Q-Class
IXFN44N50QD3	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 44A I(D), 500V, 0.12ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IXFN44N50U2	IXYS	获取价格	HiPerFET Power MOSFETs
IXFN44N50U3	IXYS	获取价格	HiPerFET Power MOSFETs
IXFN44N60	IXYS	获取价格	HiPerFET Power MOSFETs Single Die MOSFET
IXFN44N60	LITTELFUSE	获取价格	功能与特色: 应用: 优点:
IXFN44N80	IXYS	获取价格	HiPerFETTM Power MOSFETs Single MOSFET Die
IXFN44N80	LITTELFUSE	获取价格	功能与特色: 应用: 优点:
IXFN44N80P	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 39A I(D), 800V, 0.19ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IXFN44N80P	IXYS	获取价格	PolarHV HiPerFET Power MOSFET

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