是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Obsolete | 包装说明: | MINIBLOC-4 |
针数: | 4 | Reach Compliance Code: | compliant |
风险等级: | 5.67 | Is Samacsys: | N |
其他特性: | AVALANCHE RATED | 外壳连接: | ISOLATED |
配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压: | 500 V |
最大漏极电流 (Abs) (ID): | 48 A | 最大漏极电流 (ID): | 48 A |
最大漏源导通电阻: | 0.08 Ω | FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JESD-30 代码: | R-PUFM-X4 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 4 | 工作模式: | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度: | 150 °C | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | FLANGE MOUNT |
峰值回流温度(摄氏度): | 260 | 极性/信道类型: | N-CHANNEL |
最大功率耗散 (Abs): | 520 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM): | 192 A |
认证状态: | Not Qualified | 子类别: | FET General Purpose Power |
表面贴装: | NO | 端子面层: | Nickel (Ni) |
端子形式: | UNSPECIFIED | 端子位置: | UPPER |
处于峰值回流温度下的最长时间: | 35 | 晶体管应用: | SWITCHING |
晶体管元件材料: | SILICON | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
IXFN48N50 | IXYS |
类似代替 |
HiPerFET Power MOSFETs | |
IXFN80N50 | IXYS |
类似代替 |
HiPerFET Power MOSFETs Single Die MOSFET | |
IXFN55N50 | IXYS |
类似代替 |
HiPerFET Power MOSFET |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IXFN48N55 | IXYS |
获取价格 |
HiPerFET Power MOSFETs Single Die MOSFET | |
IXFN48N60P | IXYS |
获取价格 |
PolarHV HiPerFET Power MOSFET | |
IXFN48N60P | LITTELFUSE |
获取价格 |
功能与特色: 优点: 应用: | |
IXFN50N120SIC | LITTELFUSE |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, | |
IXFN50N120SK | IXYS |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor | |
IXFN50N120SK | LITTELFUSE |
获取价格 |
工业级单开关SiC MOSFET采用带有4个连接器的UL认证SOT227B封装,提供300 | |
IXFN50N25 | IXYS |
获取价格 |
HIPERFET Power MOSFTETs | |
IXFN50N25 | LITTELFUSE |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, | |
IXFN50N50 | IXYS |
获取价格 |
HiPerFET Power MOSFET | |
IXFN50N80Q2 | IXYS |
获取价格 |
HiPerFET Power MOSFETs Q-Class |