5秒后页面跳转
| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Transferred | 包装说明： | MINIBLOC-4 |
| 针数： | 4 | Reach Compliance Code： | compliant |
| 风险等级： | 8.34 | 其他特性： | AVALANCHE RATED, UL RECOGNIZED |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 2000 mJ | 外壳连接： | ISOLATED |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 900 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 56 A | 最大漏极电流 (ID)： | 56 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.135 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码： | R-PUFM-X4 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 4 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 1000 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 168 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | Nickel (Ni) |
| 端子形式： | UNSPECIFIED | 端子位置： | UPPER |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IXFN56N90P_11 | IXYS |
获取价格 |
Polar HiPerFET Power MOSFET |
|
| IXFN58N50 | IXYS |
获取价格 |
High Current Power MOSFET |
|
| IXFN60N60 | IXYS |
获取价格 |
HiPerFET Power MOSFETs Single Die MOSFET |
|
| IXFN60N60 | LITTELFUSE |
获取价格 |
功能与特色: 应用: 优点: |
|
| IXFN60N80P | IXYS |
获取价格 |
PolarHV HiPerFET Power MOSFET |
|
| IXFN60N80P | LITTELFUSE |
获取价格 |
功能与特色: 优点: 应用: |
|
| IXFN61N50 | IXYS |
获取价格 |
High Current Power MOSFET |
|
| IXFN62N80Q3 | IXYS |
获取价格 |
HiperFETTM Power MOSFET Q3-Class |
|
| IXFN62N80Q3 | LITTELFUSE |
获取价格 |
Q3级系列功率MOSFET为最终用户提供具有一流功率开关性能、出色热特性、强大器件耐用性和 |
|
| IXFN64N20 | IXYS |
获取价格 |
HIPERFET Power MOSFTETs |
|
解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
