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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Transferred |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-XUFM-X4 | 针数： | 4 |
| Reach Compliance Code： | compliant | 风险等级： | 7.94 |
| Is Samacsys： | N | 其他特性： | UL RECOGNIZED |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 5000 mJ | 外壳连接： | ISOLATED |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 800 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 49 A | 最大漏极电流 (ID)： | 49 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.14 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码： | R-XUFM-X4 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 4 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | UNSPECIFIED |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 960 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 180 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | UNSPECIFIED | 端子位置： | UPPER |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| IXFN60N80P | IXYS |
类似代替  |
PolarHV HiPerFET Power MOSFET |
|
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IXFN64N20 | IXYS |
获取价格 |
HIPERFET Power MOSFTETs |
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| IXFN64N50P | IXYS |
获取价格 |
PolarHVTM HiPerFETPower MOSFET |
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| IXFN64N50P | LITTELFUSE |
获取价格 |
功能与特色: 优点: 应用: |
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| IXFN64N50P_09 | IXYS |
获取价格 |
Polar Power MOSFET HiPerFET |
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| IXFN64N50PD2 | IXYS |
获取价格 |
PolarHV HiPerFET Power MOSFET |
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| IXFN64N50PD3 | IXYS |
获取价格 |
PolarHV HiPerFET Power MOSFET |
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| IXFN64N60P | IXYS |
获取价格 |
PolarHV HiPerFET Power MOSFET |
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| IXFN64N60P | LITTELFUSE |
获取价格 |
功能与特色: 优点: 应用: |
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| IXFN66N50Q2 | IXYS |
获取价格 |
HiPerFET Power MOSFET Q2-Class |
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| IXFN66N50Q2 | LITTELFUSE |
获取价格 |
功能与特色: 应用: 优点: |
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