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| 力特 - LITTELFUSE |  |
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| 页数 | 文件大小 | 规格书 |
| 5页 | 194K |  |
| 描述 | ||
| 功能与特色: 应用: 优点: | ||
| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Not Recommended |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PUFM-X4 | Reach Compliance Code： | compliant |
| 风险等级： | 5.74 | 其他特性： | AVALANCHE RATED |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 5000 mJ | 外壳连接： | ISOLATED |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 500 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 80 A | 最大漏源导通电阻： | 0.06 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码： | R-PUFM-X4 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 4 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 320 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Nickel (Ni) | 端子形式： | UNSPECIFIED |
| 端子位置： | UPPER | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IXFN80N50Q3 | IXYS |
获取价格 |
HiperFET Power MOSFET Q3-Class |
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| IXFN80N50Q3 | LITTELFUSE |
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Q3级系列功率MOSFET为最终用户提供具有一流功率开关性能、出色热特性、强大器件耐用性和 |
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| IXFN80N60P3 | LITTELFUSE |
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Power Field-Effect Transistor, |
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| IXFN80N60P3 | IXYS |
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Power Field-Effect Transistor, 66A I(D), 600V, 0.07ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| IXFN82N60P | IXYS |
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PolarHV HiPerFET Power MOSFET |
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| IXFN82N60P | LITTELFUSE |
获取价格 |
功能与特色: 优点: 应用: |
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| IXFN82N60Q3 | IXYS |
获取价格 |
HiperFET Power MOSFET Q3-Class |
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| IXFN82N60Q3 | LITTELFUSE |
获取价格 |
Q3级系列功率MOSFET为最终用户提供具有一流功率开关性能、出色热特性、强大器件耐用性和 |
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| IXFN90N30 | IXYS |
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HiPerFET Power MOSFETs Single Die MOSFET |
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| IXFN90N85X | LITTELFUSE |
获取价格 |
采用快速体二极管的超级结X-Class功率MOSFET是坚固耐用的器件，具有业内最低的导通 |
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解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
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台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
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