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力特 - LITTELFUSE | / | |
页数 | 文件大小 | 规格书 |
5页 | 194K | |
描述 | ||
功能与特色: 应用: 优点: |
是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Not Recommended |
包装说明: | FLANGE MOUNT, R-PUFM-X4 | Reach Compliance Code: | compliant |
风险等级: | 5.74 | 其他特性: | AVALANCHE RATED |
雪崩能效等级(Eas): | 5000 mJ | 外壳连接: | ISOLATED |
配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压: | 500 V |
最大漏极电流 (ID): | 80 A | 最大漏源导通电阻: | 0.06 Ω |
FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码: | R-PUFM-X4 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 4 |
工作模式: | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度: | 150 °C |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型: | N-CHANNEL | 最大脉冲漏极电流 (IDM): | 320 A |
认证状态: | Not Qualified | 表面贴装: | NO |
端子面层: | Nickel (Ni) | 端子形式: | UNSPECIFIED |
端子位置: | UPPER | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
晶体管应用: | SWITCHING | 晶体管元件材料: | SILICON |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IXFN80N50Q3 | IXYS |
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HiperFET Power MOSFET Q3-Class | |
IXFN80N50Q3 | LITTELFUSE |
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Q3级系列功率MOSFET为最终用户提供具有一流功率开关性能、出色热特性、强大器件耐用性和 | |
IXFN80N60P3 | LITTELFUSE |
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Power Field-Effect Transistor, | |
IXFN80N60P3 | IXYS |
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Power Field-Effect Transistor, 66A I(D), 600V, 0.07ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met | |
IXFN82N60P | IXYS |
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PolarHV HiPerFET Power MOSFET | |
IXFN82N60P | LITTELFUSE |
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功能与特色: 优点: 应用: | |
IXFN82N60Q3 | IXYS |
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HiperFET Power MOSFET Q3-Class | |
IXFN82N60Q3 | LITTELFUSE |
获取价格 |
Q3级系列功率MOSFET为最终用户提供具有一流功率开关性能、出色热特性、强大器件耐用性和 | |
IXFN90N30 | IXYS |
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HiPerFET Power MOSFETs Single Die MOSFET | |
IXFN90N85X | LITTELFUSE |
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采用快速体二极管的超级结X-Class功率MOSFET是坚固耐用的器件,具有业内最低的导通 |