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IXFN73N30Q

更新时间： 2024-09-15 22:14:31

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描述
HiPerFET Power MOSFETs Q-Class

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IXFN73N30Q 技术参数

是否无铅：	不含铅	生命周期：	Transferred
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PUFM-X4	针数：	4
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.71	其他特性：	AVALANCHE RATED
雪崩能效等级（Eas）：	2500 mJ	外壳连接：	ISOLATED
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	300 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	73 A	最大漏极电流 (ID)：	73 A
最大漏源导通电阻：	0.045 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PUFM-X4	元件数量：	1
端子数量：	4	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	500 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	292 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	NO	端子面层：	Nickel (Ni)
端子形式：	UNSPECIFIED	端子位置：	UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

IXFN73N30Q 数据手册

HiPerFET^TM

Power MOSFETs

Q-Class

IXFN 73N30Q

V_DSS= 300 V

I_D25= 73 A

R_DS(on)= 42 mΩ

t ≤ 250 ns

N-ChannelEnhancementMode

Avalanche Rated, Low Q_g, High dv/dt

Preliminary data sheet

miniBLOC,SOT-227B(IXFN)

E153432

Symbol

TestConditions

Maximum Ratings

V_DSS

V_DGR

T_J= 25°C to 150°C

300

T_J= 25°C to 150°C; R_GS= 1 MΩ

V_GS

Continuous

Transient

±20

±30

V_GSM

I_D25

I_DM

I_AR

T_C= 25°C

292

T_C= 25°C, pulse width limited by T_JM

T_C= 25°C

G = Gate

S = Source

D = Drain

E_AR

E_AS

T_C= 25°C

Either Source terminal at miniBLOC can be used

as Main or Kelvin Source

2.5

dv/dt

I_S≤ I_DM, di/dt ≤ 100 A/µs, V_DD≤ V_DSS

T_J≤ 150°C, R_G= 2 Ω

V/ns

Features

• IXYS advanced low Q_gprocess

• Low gate charge and capacitances

- easier to drive

P_D

T_C= 25°C

500

-faster switching

T_J

-55 to +150

150

°C

• Unclamped Inductive Switching (UIS)

rated

T_JM

T_stg

V_ISOL

-55 to +150

• Low R_{DS (on)}

• Fast intrinsic diode

50/60 Hz, RMS t = 1 min

t = 1 s

2500

3000

I_ISOL≤ 1 mA

• International standard package

• miniBLOC with Aluminium nitride

isolation for low thermal resistance

• Low terminal inductance (<10 nH) and

stray capacitance to heatsink (<35pf)

• Molding epoxies meet UL 94 V-0

flammability classification

M_d

Mountingtorque

Terminalconnectiontorque

1.5/13

Nm/lb.in.

Weight

Symbol

TestConditions

Characteristic Values

(T_J= 25°C, unless otherwise specified)

Applications

• DC-DC converters

• Battery chargers

• Switched-mode and resonant-mode

power supplies

min.

typ.

max.

V_DSS

V_GS= 0 V, I_D= 1 mA

V_DS= V_GS, I_D= 4 mA

300

2.0

V_GS(th)

4.0

• DC choppers

• Temperature and lighting controls

I_GSS

I_DSS

V_GS= ±20 V_DC, V_DS= 0

±100

V_DS= V_DSS

V_GS= 0 V

T_J= 25°C

T_J= 125°C

100

µA

Advantages

• Easy to mount

• Space savings

• High power density

R_DS(on)

V_GS= 10 V, I_D= 0.5 I_D25

Pulse test, t ≤ 300 µs, duty cycle d ≤ 2 %

42 m Ω

98742A (12/01)

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型号	品牌	替代类型	描述	数据表
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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXFN74N100X	LITTELFUSE	获取价格	采用快速体二极管的超级结X-Class功率MOSFET是坚固耐用的器件，具有业内最低的导通
IXFN75N50	IXYS	获取价格	HiPerFET Power MOSFETs Single Die MOSFET
IXFN80N48	IXYS	获取价格	HiPerFET Power MOSFETs Single Die MOSFET
IXFN80N50	IXYS	获取价格	HiPerFET Power MOSFETs Single Die MOSFET
IXFN80N50	LITTELFUSE	获取价格	功能与特色: 应用: 优点:
IXFN80N50P	IXYS	获取价格	PolarHV HiPerFET Power MOSFET
IXFN80N50P	LITTELFUSE	获取价格	功能与特色: 优点: 应用:
IXFN80N50Q2	IXYS	获取价格	HiPerFET Power MOSFET Q2-Class
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IXFN80N50Q3	IXYS	获取价格	HiperFET Power MOSFET Q3-Class

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