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IXFN80N60P3

更新时间： 2024-11-21 20:08:11

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力特 - LITTELFUSE		局域网开关脉冲晶体管
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6页	132K
描述
Power Field-Effect Transistor,

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IXFN80N60P3 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.72
Base Number Matches：	1

IXFN80N60P3 数据手册

Polar3^TMHiPerFET^TM

Power MOSFET

V_DSS= 600V

I_D25= 66A

R_DS(on) 77m

IXFN80N60P3

t_rr

 250ns

N-Channel Enhancement Mode

Fast Intrinsic Rectifier

miniBLOC

E153432

Symbol

V_DSS

Test Conditions

Maximum Ratings

T_J= 25C to 150C

T_J= 25C to 150C, R_GS= 1M

600

V_DGR

V_GSS

V_GSM

Continuous

Transient

30

40

G = Gate

S = Source

D = Drain

I_D25

I_DM

T_C= 25C

T_C= 25C, Pulse Width Limited by T_JM

Either Source Terminal S can be used as

the Source Terminal or the Kelvin Source

(Gate Return) Terminal.

200

I_A

E_AS

T_C= 25C

Features

dv/dt

P_D

I_S I_DM, V_DD V_DSS, T_J 150C

T_C= 25C

V/ns

^International Standard Package

^Low Intrinsic Gate Resistance

^miniBLOC with Aluminum Nitride

Isolation

960

T_J

T_JM

T_stg

-55 ... +150

150

-55 ... +150

C

^Dynamic dv/dt Rating

^Avalanche Rated

V_ISOL

50/60 Hz, RMS, t = 1minute

2500

3000

I_ISOL1mA,

t = 1s

^Fast Intrinsic Rectifier

^Low Q_G

M_d

Mounting Torque for Base Plate

Terminal Connection Torque

1.5/13

1.3/11.5

Nm/lb.in

^Low R_DS(on)

^Low Drain-to-Tab Capacitance

^Low Package Inductance

Weight

Advantages

^High Power Density

^Easy to Mount

^Space Savings

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

(T_J= 25C Unless Otherwise Specified)

Min.

600

3.0

Typ.

Max.

BV_DSS

V_GS(th)

I_GSS

V_GS= 0V, I_D= 1mA

V_DS= V_GS, I_D= 8mA

V_GS= 30V, V_DS= 0V

V_DS= V_DSS, V_GS= 0V

Applications

5.0

^DC-DC Converters

^Battery Chargers

200 nA

^Switch-Mode and Resonant-Mode

Power Supplies

I_DSS

50 A

T_J= 125C

4 mA

^Uninterrupted Power Supplies

^AC Motor Drives

R_DS(on)

V_GS= 10V, I_D= 40A, Note 1

77 m

^High Speed Power Switching

Applications

DS100356B(04/14)

12 3 4 5 6

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