IXFN90N30

更新时间： 2024-11-17 22:41:15

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IXYS		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
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2页	76K
描述
HiPerFET Power MOSFETs Single Die MOSFET

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IXFN90N30 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PUFM-X4
针数：	4	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.81
其他特性：	AVALANCHE RATED	雪崩能效等级（Eas）：	3000 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	300 V	最大漏极电流 (ID)：	90 A
最大漏源导通电阻：	0.033 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PUFM-X4	元件数量：	1
端子数量：	4	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	360 A	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子面层：	Nickel (Ni)
端子形式：	UNSPECIFIED	端子位置：	UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

IXFN90N30 数据手册

Advanced Technical Information

HiPerFET^TM

Power MOSFETs

Single Die MOSFET

IXFN90N30

V_DSS= 300 V

I_D25= 90 A

R_DS(on)= 33 mW

t_rr£ 250 ns

N-Channel Enhancement Mode

Avalanche Rated, High dv/dt, Low t_rr

Symbol

TestConditions

MaximumRatings

miniBLOC, SOT-227 B (IXFN)

E153432

V_DSS

V_DGR

T_J= 25°C to 150°C

300

T_J= 25°C to 150°C; R_GS= 1 MW

V_GS

Continuous

Transient

±20

±30

V_GSM

I_D25

T_C= 25°C

I_DM

I_AR

T_C= 25°C, pulse width limited by T_JM

T_C= 25°C

360

G = Gate

S = Source

D = Drain

TAB = Drain

E_AR

T_C= 25°C

E_AS

Either Source terminal at miniBLOC can be used

as Main or Kelvin Source

dv/dt

I_S£ I_DM, di/dt £ 100 A/ms, V_DD£ V_DSS

T_J£ 150°C, R_G= 2 W

V/ns

P_D

T_C= 25°C

560

Features

T_J

-55 ... +150

150

°C

T_JM

T_stg

• Internationalstandardpackage

• miniBLOC, withAluminiumnitride

isolation

• Low R_{DS (on)}HDMOS^TMprocess

• Rugged polysilicon gate cell structure

• Unclamped Inductive Switching (UIS)

rated

-55 ... +150

T_J

1.6 mm (0.63 in) from case for 10 s

°C

V_ISOL

50/60 Hz, RMS

I_ISOL£ 1 mA

t = 1 min

t = 1 s

2500

3000

M_d

Mountingtorque

Terminalconnectiontorque

1.5/13 Nm/lb.in.

• Low package inductance

• Fast intrinsic Rectifier

Weight

Applications

Symbol

TestConditions

CharacteristicValues

(T_J= 25°C, unless otherwise specified)

min. typ. max.

• DC-DC converters

• Battery chargers

• Switched-modeandresonant-mode

powersupplies

• DC choppers

V_DSS

V_GS= 0 V, I_D= 3 mA

V_DS= V_GS, I_D= 8 mA

300

V_GH(th)

• Temperatureandlightingcontrols

I_GSS

I_DSS

V_GS= ±20 V_DC, V_DS= 0

±100 nA

100 mA

V_DS= V_DSS

V_GS= 0 V

T_J= 25°C

T_J= 125°C

Advantages

• Easy to mount

• Space savings

• High power density

R_DS(on)

V_GS= 10 V, I_D= 0.5 • I_D25

Pulse test, t £ 300 ms, duty cycle d £ 2 %

33 mW

IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.

98540(9/98)

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IXFN90N30 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
IXFH94N30P3	IXYS	功能相似	Power Field-Effect Transistor, 94A I(D), 300V, 0.036ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IXTK102N30P	IXYS	功能相似	PolarHT Power MOSFET

与IXFN90N30相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXFN90N85X	LITTELFUSE	获取价格	采用快速体二极管的超级结X-Class功率MOSFET是坚固耐用的器件，具有业内最低的导通
IXFN94N50P2	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IXFN94N50P2	LITTELFUSE	获取价格	功能与特色: 优点: 应用:
IXFP05N100M	IXYS	获取价格	High Voltage HiperFET
IXFP05N100M	LITTELFUSE	获取价格	功能与特色: 优点: 应用:
IXFP102N15T	IXYS	获取价格	Trench Gate Power MOSFET HiperFET
IXFP102N15T	LITTELFUSE	获取价格	沟槽栅功率MOSFET适用于低电压/高电流应用，所需的RDS(on)极低，因此确保了非常低
IXFP10N60P	IXYS	获取价格	Polar HiPerFET Power MOSFET
IXFP10N60P	LITTELFUSE	获取价格	功能与特色: 优点: 应用:
IXFP10N80P	IXYS	获取价格	PolarHV HiPerFET Power MOSFET

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