Datasheet > IXFN90N85X

IXFN90N85X

更新时间： 2024-11-19 14:56:55

品牌	Logo	应用领域
力特 - LITTELFUSE		高电压电源栅二极管
页数	文件大小	规格书
7页	312K
描述
采用快速体二极管的超级结X-Class功率MOSFET是坚固耐用的器件，具有业内最低的导通电阻，因此能够在高电压电源转换应用中实现高功率密度。这种器件采用电荷补偿原理和专有工艺技术开发，具有低栅

阅读下载

中文翻译

获取价格

数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

IXFN90N85X 数据手册

X-Class HiPerFET^TM

Power MOSFET

V_DSS= 850V

I_D25= 90A

R_DS(on) 41m

IXFN90N85X

N-Channel Enhancement Mode

Avalanche Rated

Fast Intrinsic Diode

miniBLOC, SOT-227

E153432

Symbol

Test Conditions

Maximum Ratings

V_DSS

V_DGR

T_J= 25C to 150C

T_J= 25C to 150C, R_GS= 1M

850

V_GSS

V_GSM

Continuous

Transient

 30

 40

I_D25

I_DM

T_C= 25C

T_C= 25C, Pulse Width Limited by T_JM

180

G = Gate

D = Drain

S = Source

I_A

E_AS

T_C= 25C

P_D

T_C= 25C

1200

dv/dt

I_S I_DM, V_DD V_DSS, T_J 150°C

V/ns

Features

T_J

T_JM

T_stg

-55 ... +150

150

-55 ... +150

C



International Standard Package

miniBLOC, with Aluminium Nitride

Isolation

Isolation Voltage 2500V~

High Current Handling Capability

Fast Intrinsic Diode



V_ISOL

50/60 Hz, RMS

I_ISOL 1mA

t = 1 minute

t = 1 second

2500

3000



M_d

Mounting Torque

Terminal Connection Torque

1.5/13

1.3/11.5

Nm/lb.in



Avalanche Rated

Weight

Low R_DS(on)

Advantages



High Power Density

Easy to Mount

Space Savings



Symbol

Test Conditions

Characteristic Values



(T_J= 25C Unless Otherwise Specified)

Min.

850

3.5

Typ.

Max.

BV_DSS

V_GS(th)

I_GSS

V_GS= 0V, I_D= 3mA

V_DS= V_GS, I_D= 8mA

V_GS=  30V, V_DS= 0V

V_DS= V_DSS, V_GS= 0V

Applications

5.5

200 nA



Switch-Mode and Resonant-Mode

Power Supplies

I_DSS

50 A



DC-DC Converters

PFC Circuits

AC and DC Motor Drives

Robotics and Servo Controls

T_J= 125C

5 mA



R_DS(on)

V_GS= 10V, I_D= 45A, Note 1

41 m



DS100723A(11/19)

12 3 4 5 6 7

中文翻译

下载PDF

与IXFN90N85X相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXFN94N50P2	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IXFN94N50P2	LITTELFUSE	获取价格	功能与特色: 优点: 应用:
IXFP05N100M	IXYS	获取价格	High Voltage HiperFET
IXFP05N100M	LITTELFUSE	获取价格	功能与特色: 优点: 应用:
IXFP102N15T	IXYS	获取价格	Trench Gate Power MOSFET HiperFET
IXFP102N15T	LITTELFUSE	获取价格	沟槽栅功率MOSFET适用于低电压/高电流应用，所需的RDS(on)极低，因此确保了非常低
IXFP10N60P	IXYS	获取价格	Polar HiPerFET Power MOSFET
IXFP10N60P	LITTELFUSE	获取价格	功能与特色: 优点: 应用:
IXFP10N80P	IXYS	获取价格	PolarHV HiPerFET Power MOSFET
IXFP10N80P	LITTELFUSE	获取价格	功能与特色: 优点: 应用: