是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Transferred | 零件包装代码: | TO-264AA |
包装说明: | TO-264, 3 PIN | 针数: | 3 |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | EAR99 |
风险等级: | 8.39 | 其他特性: | AVALANCHE RATED |
雪崩能效等级(Eas): | 2500 mJ | 外壳连接: | DRAIN |
配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压: | 300 V |
最大漏极电流 (ID): | 102 A | 最大漏源导通电阻: | 0.033 Ω |
FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码: | TO-264AA |
JESD-30 代码: | R-PSFM-T3 | JESD-609代码: | e1 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 3 |
工作模式: | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度: | 150 °C |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型: | N-CHANNEL | 最大脉冲漏极电流 (IDM): | 250 A |
认证状态: | Not Qualified | 表面贴装: | NO |
端子面层: | Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) | 端子形式: | THROUGH-HOLE |
端子位置: | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
晶体管应用: | SWITCHING | 晶体管元件材料: | SILICON |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
IXFK102N30P | IXYS |
类似代替 |
PolarHT HiPerFET Power MOSFET | |
IXFH94N30P3 | IXYS |
功能相似 |
Power Field-Effect Transistor, 94A I(D), 300V, 0.036ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IXTK102N65X2 | LITTELFUSE |
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Power Field-Effect Transistor, | |
IXTK102N65X2 | IXYS |
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Power Field-Effect Transistor, | |
IXTK110N20L2 | LITTELFUSE |
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这些独特的器件专为需要功率MOSFET以在电流饱和区工作的应用,具有低热阻、高功率密度和正 | |
IXTK110N30 | IXYS |
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Power Field-Effect Transistor, 110A I(D), 300V, 0.026ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M | |
IXTK120N20P | LITTELFUSE |
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Polar?标准功率MOSFET经过专门定制,可为设计人员提供在性能和成本之间取得最佳平衡 | |
IXTK120N25 | IXYS |
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High Current MegaMOSFET | |
IXTK120N25P | IXYS |
获取价格 |
PolarHT Power MOSFET | |
IXTK120N25P | LITTELFUSE |
获取价格 |
Polar?标准功率MOSFET经过专门定制,可为设计人员提供在性能和成本之间取得最佳平衡 | |
IXTK120N65X2 | LITTELFUSE |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, | |
IXTK120P20T | IXYS |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 120A I(D), 200V, 0.03ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Me |