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IXFP12N65X2A

更新时间： 2024-11-06 20:04:19

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力特 - LITTELFUSE		/
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7页	240K
描述
Power Field-Effect Transistor,

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IXFP12N65X2A 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.69
Base Number Matches：	1

IXFP12N65X2A 数据手册

Advance Technical Information

X2-Class HiPERFET

Power MOSFET

V_DSS= 650V

I_D25= 12A

IXFP12N65X2A

R_DS(on) 310m

AEC Q101 Qualified

N-Channel Enhancement Mode

Avalanche Rated

TO-220

Symbol

V_DSS

Test Conditions

Maximum Ratings

T_J= 25C to 150C

650

V_DGR

T_J= 25C to 150C, R_GS= 1M

D (Tab)

V_GSS

V_GSM

Continuous

Transient

30

40

G = Gate

S = Source

= Drain

I_D25

I_DM

T_C= 25C

T_C= 25C, Pulse Width Limited by T_JM

Tab = Drain

I_A

T_C= 25C

E_AS

300

dv/dt

P_D

I_S I_DM, V_DD V_DSS, T_J 150°C

T_C= 25C

V/ns

Features

180



International Standard Package

Low R_DS(ON)and Q_G

Avalanche Rated

T_J

-55 ... +150

150

C



T_JM

T_stg

-55 ... +150

Low Package Inductance

T_L

T_SOLD

Maximum Lead Temperature for Soldering

1.6 mm (0.062in.) from Case for 10s

300

260

°C

Advantages

M_d

Mounting Torque

1.13 / 10

Nm/lb.in



High Power Density

Weight



Easy to Mount

Space Savings



Applications



Switch-Mode and Resonant-Mode

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

Power Supplies

DC-DC Converters

PFC Circuits

AC and DC Motor Drives

(T_J= 25C, Unless Otherwise Specified)

Min.

Typ.

Max.



BV_DSS

V_GS(th)

I_GSS

V_GS= 0V, I_D= 250μA

V_DS= V_GS, I_D= 250μA

V_GS= 30V, V_DS= 0V

V_DS= V_DSS, V_GS= 0V

650



3.0

5.0



Robotics and Servo Controls

100 nA

I_DSS

10 A

T_J= 125C

500 A

R_DS(on)

V_GS= 10V, I_D= 0.5 • I_D25, Note 1

310 m

DS100913A(6/18)

12 3 4 5 6 7

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