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IXFP22N65X2 PDF预览

IXFP22N65X2

更新时间： 2024-01-16 19:49:37
品牌 Logo 应用领域
力特 - LITTELFUSE 栅二极管栅极
页数 文件大小 规格书
7页 362K
描述
这些新型器件采用电荷补偿原理和专有工艺技术开发，具有最低的导通电阻，以及低栅极电荷和卓越的dv/dt性能。 其雪崩能力也增强了器件的强度。 此外，借助快速软恢复体二极管，超级结MOSFET有助于

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X2-Class HiPerFETTM  
Power MOSFET  
VDSS = 650V  
ID25 = 22A  
RDS(on) 145m  
IXFA22N65X2  
IXFP22N65X2  
IXFH22N65X2  
N-Channel Enhancement Mode  
Avalanche Rated  
TO-263 (IXFA)  
G
S
Symbol  
VDSS  
Test Conditions  
Maximum Ratings  
D (Tab)  
TO-220 (IXFP)  
TJ = 25C to 150C  
650  
650  
V
V
VDGR  
TJ = 25C to 150C, RGS = 1M  
VGSS  
VGSM  
Continuous  
Transient  
30  
40  
V
V
G
D
ID25  
IDM  
TC = 25C  
TC = 25C, Pulse Width Limited by TJM  
22  
44  
A
A
S
D (Tab)  
TO-247 (IXFH)  
IA  
TC = 25C  
TC = 25C  
5
1
A
J
EAS  
dv/dt  
PD  
IS IDM, VDD VDSS, TJ 150°C  
TC = 25C  
50  
V/ns  
W
G
390  
D
D (Tab)  
S
TJ  
-55 ... +150  
150  
C  
C  
C  
G = Gate  
S = Source  
D
= Drain  
Tab = Drain  
TJM  
Tstg  
-55 ... +150  
TL  
TSOLD  
Maximum Lead Temperature for Soldering  
1.6 mm (0.062in.) from Case for 10s  
300  
260  
°C  
°C  
Features  
FC  
Md  
Mounting Force (TO-263)  
Mounting Torque (TO-220 & TO-247)  
10..65 / 2.2..14.6  
1.13 / 10  
N/lb  
Nm/lb.in  
International Standard Packages  
Low RDS(ON) and QG  
Avalanche Rated  
Weight  
TO-263  
TO-220  
TO-247  
2.5  
3.0  
6.0  
g
g
g
Low Package Inductance  
Advantages  
Symbol  
Test Conditions  
Characteristic Values  
High Power Density  
Easy to Mount  
Space Savings  
(TJ = 25C, Unless Otherwise Specified)  
Min.  
Typ.  
Max.  
BVDSS  
VGS(th)  
IGSS  
VGS = 0V, ID = 250μA  
VDS = VGS, ID = 1.5mA  
VGS = 30V, VDS = 0V  
VDS = VDSS, VGS = 0V  
650  
V
V
3.5  
5.0  
Applications  
100 nA  
IDSS  
10 A  
Switch-Mode and Resonant-Mode  
Power Supplies  
DC-DC Converters  
PFC Circuits  
AC and DC Motor Drives  
TJ = 125C  
1.5 mA  
RDS(on)  
VGS = 10V, ID = 0.5 • ID25, Note 1  
145 m  
Robotics and Servo Controls  
DS100682C(6/18)  
© 2018 IXYS CORPORATION, All Rights Reserved  
1234567

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与IXFP22N65X2相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IXFP22N65X2M LITTELFUSE

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 		这些新型器件采用电荷补偿原理和专有工艺技术开发，具有最低的导通电阻，以及低栅极电荷和卓越的
IXFP230N075T2 IXYS

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