5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > IXFP18N60X
IXFP18N60X PDF预览

IXFP18N60X

更新时间： 2024-01-25 15:28:54
品牌 Logo 应用领域
力特 - LITTELFUSE /
页数 文件大小 规格书
7页 240K
描述
Power Field-Effect Transistor,

阅读下载

中文翻译

获取价格

IXFP18N60X 技术参数

生命周期：Not Recommended包装说明：,
Reach Compliance Code：compliant风险等级：5.76
Base Number Matches：1

IXFP18N60X 数据手册

 浏览型号IXFP18N60X的Datasheet PDF文件第2页浏览型号IXFP18N60X的Datasheet PDF文件第3页浏览型号IXFP18N60X的Datasheet PDF文件第4页浏览型号IXFP18N60X的Datasheet PDF文件第5页浏览型号IXFP18N60X的Datasheet PDF文件第6页浏览型号IXFP18N60X的Datasheet PDF文件第7页 
Preliminary Technical Information  
X-Class HiPerFETTM  
Power MOSFET  
VDSS = 600V  
ID25 = 18A  
RDS(on) 230m  
IXFA18N60X  
IXFP18N60X  
IXFH18N60X  
TO-263 AA (IXFA)  
N-Channel Enhancement Mode  
Avalanche Rated  
Fast Intrinsic Diode  
G
S
D (Tab)  
TO-220AB (IXFP)  
Symbol  
VDSS  
Test Conditions  
Maximum Ratings  
TJ = 25C to 150C  
600  
600  
V
V
G
VDGR  
TJ = 25C to 150C, RGS = 1M  
D
D (Tab)  
S
VGSS  
VGSM  
Continuous  
Transient  
30  
40  
V
V
TO-247 (IXFH)  
ID25  
IDM  
TC = 25C  
TC = 25C, Pulse Width Limited by TJM  
18  
36  
A
A
IA  
TC = 25C  
TC = 25C  
5
A
G
EAS  
500  
mJ  
D
S
D (Tab)  
dv/dt  
PD  
IS IDM, VDD VDSS, TJ 150°C  
TC = 25C  
50  
V/ns  
W
G = Gate  
S = Source  
D
= Drain  
320  
Tab = Drain  
TJ  
-55 ... +150  
150  
C  
C  
C  
TJM  
Tstg  
-55 ... +150  
Features  
TLTL  
TSOLD  
Maximum Lead Temperature for Soldering  
1.6 mm (0.062in.) from Case for 10s  
300  
260  
°C  
°C  
International Standard Packages  
Low RDS(ON) and QG  
Avalanche Rated  
FC  
Md  
Mounting Force (TO-263)  
Mounting Torque (TO-247 & TO-220)  
10..65 / 2.2..14.6  
1.13 / 10  
N/lb  
Nm/lb.in  
Low Package Inductance  
Weight  
TO-263  
TO-220  
TO-247  
2.5  
3.0  
6.0  
g
g
g
Advantages  
High Power Density  
Easy to Mount  
Space Savings  
Symbol  
Test Conditions  
Characteristic Values  
(TJ = 25C, Unless Otherwise Specified)  
Min.  
Typ.  
Max.  
BVDSS  
VGS(th)  
IGSS  
VGS = 0V, ID = 250μA  
VDS = VGS, ID = 1.5mA  
VGS = 30V, VDS = 0V  
VDS = VDSS, VGS = 0V  
600  
V
V
2.5  
4.5  
Applications  
100 nA  
Switch-Mode and Resonant-Mode  
Power Supplies  
DC-DC Converters  
PFC Circuits  
AC and DC Motor Drives  
IDSS  
10 A  
500 A  
TJ = 125C  
RDS(on)  
VGS = 10V, ID = 0.5 • ID25, Note 1  
230 m  
Robotics and Servo Controls  
DS100660A(5/15)  
© 2015 IXYS CORPORATION, All Rights Reserved  
1234567

中文翻译

下载PDF

与IXFP18N60X相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IXFP18N65X2 LITTELFUSE

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor,
IXFP18N65X2M LITTELFUSE

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor,
IXFP20N50P3 LITTELFUSE

获取价格

 		PolarP3? HiPerFET?产品系列是针对300V, 500V至600V产品系列的
IXFP20N50P3M LITTELFUSE

获取价格

 		PolarP3? HiPerFET?产品系列是针对300V, 500V至600V产品系列的
IXFP20N85X LITTELFUSE

获取价格

 		采用快速体二极管的超级结X-Class功率MOSFET是坚固耐用的器件，具有业内最低的导通
IXFP220N06T3 LITTELFUSE

获取价格

 		60V TrenchT3?功率MOSFET是对低压Trench MOSFET产品系列的扩展
IXFP22N60P3 IXYS

获取价格

 		Polar3 HiperFET Power MOSFETs
IXFP22N60P3 LITTELFUSE

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor,
IXFP22N65X2 LITTELFUSE

获取价格

 		这些新型器件采用电荷补偿原理和专有工艺技术开发，具有最低的导通电阻，以及低栅极电荷和卓越的
IXFP22N65X2M LITTELFUSE

获取价格

 		这些新型器件采用电荷补偿原理和专有工艺技术开发，具有最低的导通电阻，以及低栅极电荷和卓越的

与IXFP18N60X相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证