5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > IXFP22N60P3
IXFP22N60P3 PDF预览

IXFP22N60P3

更新时间： 2024-02-03 09:24:49
品牌 Logo 应用领域
力特 - LITTELFUSE /
页数 文件大小 规格书
7页 354K
描述
Power Field-Effect Transistor,

阅读下载

中文翻译

获取价格

IXFP22N60P3 技术参数

生命周期：Active包装说明：,
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.75
Base Number Matches：1

IXFP22N60P3 数据手册

 浏览型号IXFP22N60P3的Datasheet PDF文件第2页浏览型号IXFP22N60P3的Datasheet PDF文件第3页浏览型号IXFP22N60P3的Datasheet PDF文件第4页浏览型号IXFP22N60P3的Datasheet PDF文件第5页浏览型号IXFP22N60P3的Datasheet PDF文件第6页浏览型号IXFP22N60P3的Datasheet PDF文件第7页 
Polar3TM HiperFETTM  
Power MOSFET  
VDSS = 600V  
ID25 = 22A  
RDS(on) 390m  
IXFA22N60P3  
IXFP22N60P3  
IXFQ22N60P3  
IXFH22N60P3  
N-Channel Enhancement Mode  
Avalanche Rated  
Fast Intrinsic Rectifier  
TO-3P (IXFQ)  
TO-263 (IXFA)  
TO-220 (IXFP)  
G
S
G
D
S
G
D (Tab)  
D
S
D (Tab)  
D (Tab)  
Symbol  
VDSS  
Test Conditions  
Maximum Ratings  
TO-247 (IXFH)  
TJ = 25C to 150C  
TJ = 25C to 150C, RGS = 1M  
600  
600  
V
V
VDGR  
VGSS  
VGSM  
Continuous  
Transient  
30  
40  
V
V
G
D
ID25  
IDM  
TC = 25C  
22  
55  
A
A
S
D (Tab)  
TC = 25C, Pulse Width Limited by TJM  
G = Gate  
S = Source  
D
= Drain  
IA  
TC = 25C  
TC = 25C  
11  
A
Tab = Drain  
EAS  
400  
mJ  
dv/dt  
PD  
IS IDM, VDD VDSS, TJ 150°C  
TC = 25C  
35  
V/ns  
W
500  
Features  
TJ  
-55 ... +150  
150  
C  
C  
C  
Fast Intrinsic Rectifier  
Avalanche Rated  
Low RDS(ON) and QG  
TJM  
Tstg  
-55 ... +150  
Low Package Inductance  
TL  
TSOLD  
Maximum Lead Temperature for Soldering  
1.6 mm (0.062in.) from Case for 10s  
300  
260  
°C  
°C  
FC  
Md  
Mounting Force (TO-263)  
Mounting Torque (TO-247, TO-220 & TO-3P)  
10..65 / 2.2..14.6  
N/lb  
Nm/lb.in  
Advantages  
1.13 / 10  
High Power Density  
Easy to Mount  
Weight  
TO-263  
TO-220  
TO-3P  
2.5  
3.0  
5.5  
6.0  
g
g
g
g
Space Savings  
TO-247  
Applications  
Symbol  
Test Conditions  
Characteristic Values  
(TJ = 25C Unless Otherwise Specified)  
Min.  
600  
3.0  
Typ.  
Max.  
Switch-Mode and Resonant-Mode  
Power Supplies  
DC-DC Converters  
Laser Drivers  
AC and DC Motor Drives  
Robotics and Servo Controls  
BVDSS  
VGS(th)  
IGSS  
VGS = 0V, ID = 1mA  
VDS = VGS, ID = 1.5mA  
VGS = 30V, VDS = 0V  
VDS = VDSS, VGS = 0V  
V
V
5.0  
          100 nA  
IDSS  
25 A  
TJ = 125C  
1.25 mA  
RDS(on)  
VGS = 10V, ID = 0.5 • ID25, Note 1  
390 m  
DS100321D(6/18)  
© 2018 IXYS CORPORATION, All Rights Reserved  
1234567

中文翻译

下载PDF

与IXFP22N60P3相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IXFP22N65X2 LITTELFUSE

获取价格

 		这些新型器件采用电荷补偿原理和专有工艺技术开发，具有最低的导通电阻，以及低栅极电荷和卓越的
IXFP22N65X2M LITTELFUSE

获取价格

 		这些新型器件采用电荷补偿原理和专有工艺技术开发，具有最低的导通电阻，以及低栅极电荷和卓越的
IXFP230N075T2 IXYS

获取价格

 		TrenchT2 HiperFET Power MOSFET
IXFP230N075T2 LITTELFUSE

获取价格

 		这些器件具有40V至170V的漏极 - 源极电压额定值，并可提供高达600安培的高电流性能
IXFP24N60X LITTELFUSE

获取价格

 		采用快速体二极管的超级结X-Class功率MOSFET是坚固耐用的器件，具有业内最低的导通
IXFP24N65X ISC

获取价格

 		isc N-Channel MOSFET Transistor
IXFP24N65X_18 ISC

获取价格

 		isc N-Channel MOSFET Transistor
IXFP26N30X3 LITTELFUSE

获取价格

 		超级结MOSFET采用电荷补偿原理和专有工艺技术开发，可提供出类拔萃的质量因数（导通电阻乘
IXFP26N50P3 LITTELFUSE

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor,
IXFP26N65X2 LITTELFUSE

获取价格

 		650V X2级超级结MOSFET提供26A标称额定电流型号。 其采用标准TO-220封装

与IXFP22N60P3相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证