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IXFP34N65X2M

更新时间： 2024-11-19 14:56:55

品牌	Logo	应用领域
力特 - LITTELFUSE		栅二极管栅极
页数	文件大小	规格书
6页	594K
描述
这些新型器件采用电荷补偿原理和专有工艺技术开发，具有最低的导通电阻，以及低栅极电荷和卓越的dv/dt性能。其雪崩能力也增强了器件的强度。此外，借助快速软恢复体二极管，超级结MOSFET有助于

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IXFP34N65X2M 数据手册

X2-Class HiperFET^TM

Power MOSFET

V_DSS= 650V

I_D25= 34A

IXFP34N65X2M

R_DS(on) 100m

(Electrically Isolated Tab)

OVERMOLDED

TO-220

N-Channel Enhancement Mode

Symbol

V_DSS

Test Conditions

Maximum Ratings

T_J= 25C to 150C

650

Isolated Tab

V_DGR

T_J= 25C to 150C, R_GS= 1M

V_GSS

V_GSM

Continuous

Transient

30

40

G = Gate

S = Source

D = Drain

I_D25

I_DM

T_C= 25C, Limited by T_JM

T_C= 25C, Pulse Width Limited by T_JM

I_A

T_C= 25C

E_AS

Features

dv/dt

P_D

I_S I_DM, V_DD V_DSS, T_J 150°C

T_C= 25C

V/ns



International Standard Package

Plastic Overmolded Tab

High Voltage Package

Low R_DS(ON)and Q_G

Avalanche Rated

2500V~ Electrical Isolation

Low Package Inductance



T_J

-55 ... +150

150

C

T_JM

T_stg

-55 ... +150



T_L

T_SOLD

Maximum Lead Temperature for Soldering

1.6 mm (0.062in.) from Case for 10s

300

260

°C

V_ISOL

50/60 Hz, 1 Minute

Mounting Torque

2500

Advantages

M_d

1.13 / 10

2.5

Nm/lb.in



High Power Density

Easy to Mount

Weight



Space Savings

Applications

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

(T_J= 25C, Unless Otherwise Specified)

Min.

Typ.

Max.



Switch-Mode and Resonant-Mode

BV_DSS

V_GS(th)

I_GSS

V_GS= 0V, I_D= 250µA

V_DS= V_GS, I_D= 1.5mA

V_GS= 30V, V_DS= 0V

V_DS= V_DSS, V_GS= 0V

650

Power Supplies

DC-DC Converters

PFC Circuits

AC and DC Motor Drives



3.5

5.0



100 nA



Robotics and Servo Controls

I_DSS

10 A

T_J= 125C

1.5 mA

R_DS(on)

V_GS= 10V, I_D= 17A, Note 1

100 m

DS100746C(1/20)

12 3 4 5 6

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