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IXFP34N65X2M

更新时间： 2024-09-14 14:56:55
品牌 Logo 应用领域
力特 - LITTELFUSE 栅二极管栅极
页数 文件大小 规格书
6页 594K
描述
这些新型器件采用电荷补偿原理和专有工艺技术开发，具有最低的导通电阻，以及低栅极电荷和卓越的dv/dt性能。 其雪崩能力也增强了器件的强度。 此外，借助快速软恢复体二极管，超级结MOSFET有助于

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IXFP34N65X2M 数据手册

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X2-Class HiperFETTM  
Power MOSFET  
VDSS = 650V  
ID25 = 34A  
IXFP34N65X2M  
RDS(on) 100m  
D
S
(Electrically Isolated Tab)  
G
OVERMOLDED  
TO-220  
N-Channel Enhancement Mode  
Symbol  
VDSS  
Test Conditions  
Maximum Ratings  
TJ = 25C to 150C  
650  
650  
V
V
G
Isolated Tab  
D
VDGR  
TJ = 25C to 150C, RGS = 1M  
S
VGSS  
VGSM  
Continuous  
Transient  
30  
40  
V
V
G = Gate  
S = Source  
D = Drain  
ID25  
IDM  
TC = 25C, Limited by TJM  
34  
68  
A
A
TC = 25C, Pulse Width Limited by TJM  
IA  
TC = 25C  
TC = 25C  
10  
1
A
J
EAS  
Features  
dv/dt  
PD  
IS IDM, VDD VDSS, TJ 150°C  
TC = 25C  
50  
40  
V/ns  
W
International Standard Package  
Plastic Overmolded Tab  
High Voltage Package  
Low RDS(ON) and QG  
Avalanche Rated  
2500V~ Electrical Isolation  
Low Package Inductance  
TJ  
-55 ... +150  
150  
C  
C  
C  
TJM  
Tstg  
-55 ... +150  
TL  
TSOLD  
Maximum Lead Temperature for Soldering  
1.6 mm (0.062in.) from Case for 10s  
300  
260  
°C  
°C  
VISOL  
50/60 Hz, 1 Minute  
Mounting Torque  
2500  
V~  
Advantages  
Md  
1.13 / 10  
2.5  
Nm/lb.in  
g
High Power Density  
Easy to Mount  
Weight  
Space Savings  
Applications  
Symbol  
Test Conditions  
Characteristic Values  
(TJ = 25C, Unless Otherwise Specified)  
Min.  
Typ.  
Max.  
Switch-Mode and Resonant-Mode  
BVDSS  
VGS(th)  
IGSS  
VGS = 0V, ID = 250µA  
VDS = VGS, ID = 1.5mA  
VGS = 30V, VDS = 0V  
VDS = VDSS, VGS = 0V  
650  
V
V
Power Supplies  
DC-DC Converters  
PFC Circuits  
AC and DC Motor Drives  
3.5  
5.0  
100 nA  
Robotics and Servo Controls  
IDSS  
10 A  
TJ = 125C  
1.5 mA  
RDS(on)  
VGS = 10V, ID = 17A, Note 1  
100 m  
© 2020 IXYS CORPORATION, All Rights Reserved  
DS100746C(1/20)  
123456

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与IXFP34N65X2M相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IXFP34N65X3 LITTELFUSE

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 		这款650V X3级超级结MOSFET采用快速体二极管。 这些产品的额定标称电流为34A，
IXFP36N20X3 LITTELFUSE

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 		超级结MOSFET采用电荷补偿原理和专有工艺技术开发，可提供出类拔萃的质量因数（导通电阻乘
IXFP36N20X3M LITTELFUSE

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 		超级结MOSFET采用电荷补偿原理和专有工艺技术开发，可提供出类拔萃的质量因数（导通电阻乘
IXFP36N30P3 LITTELFUSE

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 		PolarP3? HiPerFET?产品系列是针对300V, 500V至600V产品系列的
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IXFP38N30X3 IXYS

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IXFP3N120 IXYS

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 		HiPerFET Power MOSFETs
IXFP3N120 LITTELFUSE

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