5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > IXFP230N075T2
IXFP230N075T2 PDF预览

IXFP230N075T2

更新时间： 2024-02-23 09:11:25
品牌 Logo 应用领域
力特 - LITTELFUSE /
页数 文件大小 规格书
7页 282K
描述
这些器件具有40V至170V的漏极 - 源极电压额定值，并可提供高达600安培的高电流性能（Tc=@25oC）。 通过结合高电流额定值与紧凑的封装选择，这些尺寸更加小巧的器件能够控制更高的功率。

阅读下载

中文翻译

获取价格

IXFP230N075T2 技术参数

生命周期：Active包装说明：,
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.76
Is Samacsys：NBase Number Matches：1

IXFP230N075T2 数据手册

 浏览型号IXFP230N075T2的Datasheet PDF文件第2页浏览型号IXFP230N075T2的Datasheet PDF文件第3页浏览型号IXFP230N075T2的Datasheet PDF文件第4页浏览型号IXFP230N075T2的Datasheet PDF文件第5页浏览型号IXFP230N075T2的Datasheet PDF文件第6页浏览型号IXFP230N075T2的Datasheet PDF文件第7页 
TrenchT2TM HiperFETTM  
Power MOSFET  
VDSS = 75V  
ID25 = 230A  
RDS(on) ≤ 4.2mΩ  
IXFA230N075T2  
IXFP230N075T2  
N-Channel Enhancement Mode  
Avalanche Rated  
TO-263 AA (IXFA)  
Fast Intrinsic Rectifier  
G
S
D (Tab)  
Symbol  
VDSS  
Test Conditions  
Maximum Ratings  
TO-220AB (IXFP)  
TJ = 25°C to 175°C  
TJ = 25°C to 175°C, RGS = 1MΩ  
75  
75  
V
V
VDGR  
VGSM  
Transient  
± 20  
V
ID25  
ILRMS  
IDM  
TC = 25°C (Chip Capability)  
Lead Current Limit, RMS  
230  
120  
A
A
A
G
D
D (Tab)  
= Drain  
S
TC = 25°C, Pulse Width Limited by TJM  
700  
115  
850  
480  
G = Gate  
D
IA  
TC = 25°C  
TC = 25°C  
TC = 25°C  
A
mJ  
W
S = Source  
Tab = Drain  
EAS  
PD  
TJ  
-55 ... +175  
175  
°C  
°C  
°C  
Features  
TJM  
Tstg  
z International Standard Packages  
z 175°C Operating Temperature  
z High Current Handling Capability  
z Avalanche Rated  
-55 ... +175  
TL  
Tsold  
1.6mm (0.062in.) from Case for 10s  
Plastic Body for 10 seconds  
300  
260  
°C  
°C  
z Fast Intrinsic Rectifier  
Md  
Mounting Torque (TO-220)  
1.13 / 10  
Nm/lb.in.  
z
Low RDS(on)  
Weight  
TO-263  
TO-220  
2.5  
3.0  
g
g
Advantages  
z
Easy to Mount  
Space Savings  
High Power Density  
z
z
Symbol  
Test Conditions  
Characteristic Values  
(TJ = 25°C Unless Otherwise Specified)  
Min.  
Typ.  
Max.  
BVDSS  
VGS(th)  
IGSS  
VGS = 0V, ID = 250μA  
VDS = VGS, ID = 1mA  
VGS = ± 20V, VDS = 0V  
VDS = VDSS, VGS = 0V  
75  
V
V
Applications  
2.0  
4.0  
z
Automotive  
- Motor Drives  
- 12V Power Bus  
- ABS Systems  
DC/DC Converters and Off-Line UPS  
Primary- Side Switch  
±200 nA  
IDSS  
25 μA  
z
TJ = 150°C  
250 μA  
z
RDS(on)  
VGS = 10V, ID = 50A, Note 1  
4.2 mΩ  
z
High Current Switching Applications  
DS100074A(03/10)  
© 2010 IXYS CORPORATION, All Rights Reserved  
1234567

中文翻译

下载PDF

与IXFP230N075T2相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IXFP24N60X LITTELFUSE

获取价格

 		采用快速体二极管的超级结X-Class功率MOSFET是坚固耐用的器件，具有业内最低的导通
IXFP24N65X ISC

获取价格

 		isc N-Channel MOSFET Transistor
IXFP24N65X_18 ISC

获取价格

 		isc N-Channel MOSFET Transistor
IXFP26N30X3 LITTELFUSE

获取价格

 		超级结MOSFET采用电荷补偿原理和专有工艺技术开发，可提供出类拔萃的质量因数（导通电阻乘
IXFP26N50P3 LITTELFUSE

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor,
IXFP26N65X2 LITTELFUSE

获取价格

 		650V X2级超级结MOSFET提供26A标称额定电流型号。 其采用标准TO-220封装
IXFP270N06T3 LITTELFUSE

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor,
IXFP30N25X3 LITTELFUSE

获取价格

 		超级结MOSFET采用电荷补偿原理和专有工艺技术开发，可提供出类拔萃的质量因数（导通电阻乘
IXFP30N25X3M LITTELFUSE

获取价格

 		超级结MOSFET采用电荷补偿原理和专有工艺技术开发，可提供出类拔萃的质量因数（导通电阻乘
IXFP30N60X LITTELFUSE

获取价格

 		采用快速体二极管的超级结X-Class功率MOSFET是坚固耐用的器件，具有业内最低的导通

与IXFP230N075T2相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证