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IXFP34N65X3

更新时间： 2024-11-22 14:56:59

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力特 - LITTELFUSE		栅二极管栅极
页数	文件大小	规格书
6页	1392K
描述
这款650V X3级超级结MOSFET采用快速体二极管。这些产品的额定标称电流为34A，采用TO-220封装。这些功率MOSFET具有显著降低的通道电阻RDS(on)和栅极电荷Qg，从而改善了

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IXFP34N65X3 数据手册

X3-Class

V_DSS= 650V

I_D25= 34A

R_DS(on) 100m

IXFP34N65X3

HiPerFET^TM

Power MOSFET

N-Channel Enhancement Mode

Avalanche Rated

TO-220

(IXFP)

Symbol

V_DSS

Test Conditions

Maximum Ratings

D (Tab)

T_J= 25C to 150C

650

G = Gate

= Drain

V_DGR

T_J= 25C to 150C, R_GS= 1M

S = Source

Tab = Drain

V_GSS

V_GSM

Continuous

Transient

20

30

I_D25

I_DM

T_C= 25C

T_C= 25C, Pulse Width Limited by T_JM

Features

I_A

T_C= 25C



E_AS

750

V/ns

International Standard Package

Low R_DS(ON)and Q_G

Avalanche Rated



dv/dt

P_D

I_S I_DM, V_DD V_DSS, T_J 150°C

T_C= 25C

Low Package Inductance

446

T_J

-55 ... +150

150

C

T_JM

T_stg

Advantages

-55 ... +150



High Power Density

Easy to Mount

Space Savings

T_L

Maximum Lead Temperature for Soldering

1.6 mm (0.062 in.) from Case for 10s

300

°C



M_d

Mounting Torque

1.13 / 10

Nm/lb.in

Weight

Applications



Switch-Mode and Resonant-Mode

Power Supplies

DC-DC Converters

PFC Circuits

AC and DC Motor Drives



Symbol

Test Conditions

Characteristic Values



(T_J= 25C, Unless Otherwise Specified)

Min.

Typ.

Max.



Robotics and Servo Controls

BV_DSS

V_GS(th)

I_GSS

V_GS= 0V, I_D= 1mA

V_DS= V_GS, I_D= 2.5mA

V_GS= 20V, V_DS= 0V

V_DS= V_DSS, V_GS= 0V

650

3.2

5.2

100 nA

I_DSS

25 A

T_J= 125C

3 mA

R_DS(on)

V_GS= 10V, I_D= 0.5 • I_D25, Note 1

100 m

DS101013B(9/21)

12 3 4 5 6

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