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IXFP270N06T3

更新时间： 2024-11-19 05:02:27

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力特 - LITTELFUSE		/
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7页	289K
描述
Power Field-Effect Transistor,

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IXFP270N06T3 数据手册

Advance Technical Information

TrenchT3^TMHiperFET^TM

Power MOSFET

V_DSS= 60V

I_D25= 270A

R_DS(on) 3.1m

IXFA270N06T3

IXFP270N06T3

IXFH270N06T3

N-Channel Enhancement Mode

Avalanche Rated

Fast Intrnsic Rectifier

TO-263 AA (IXFA)

D (Tab)

Symbol

V_DSS

Test Conditions

Maximum Ratings

TO-220AB (IXFP)

T_J= 25C to 175C

V_DGR

T_J= 25C to 175C, R_GS= 1M

V_GSM

Transient

 20

D (Tab)

I_D25

I_LRMS

T_C= 25C

Lead Current Limit, RMS

270

160

TO-247 (IXFH)

I_DM

T_C= 25C, Pulse Width Limited by T_JM

675

I_A

T_C= 25C

135

1.5

E_AS

P_D

T_C= 25C

480

D (Tab)

T_J

-55 ... +175

175



C

G = Gate

S = Source

= Drain

Tab = Drain

T_JM

T_stg

-55 ... +175

T_L

T_SOLD

Maximum Lead Temperature for Soldering

Plastic Body for 10s

300

260

°C

Features

F_C

M_d

Mounting Force (TO-263)

Mounting Torque (TO-220 & TO-247)

10..65 / 2.2..14.6

1.13 / 10

N/lb

m/lb.in

^International Standard Packages

^175°C Operating Temperature

^High Current Handling Capability

^Avalanche Rated

Weight

TO-263

TO-220

TO-247

2.5

3.0

6.0

^Fast Intrinsic Rectifier



Low R_DS(on)

Advantages

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

(T_J= 25C Unless Otherwise Specified)

Min. Typ.

Max.



Easy to Mount

Space Savings

High Power Density

BV_DSS

V_GS(th)

I_GSS

V_GS= 0V, I_D= 250A

V_DS= V_GS, I_D= 250A

V_GS=  20V, V_DS= 0V

V_DS= V_DSS, V_GS= 0V



2.0

4.0

            200 nA

Applications

I_DSS

10 A

^DC-DC Converters & Off-Line UPS

^Primary-Side Switch

^High Current Switching Applications

T_J= 150C

V_GS= 10V, I_D= 100A, Notes 1, 2

1.5 mA

R_DS(on)

3.1 m

DS100698A(01/16)

12 3 4 5 6 7

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