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| 力特 - LITTELFUSE |  |
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| 页数 | 文件大小 | 规格书 |
| 5页 | 142K |  |
| 描述 | ||
| 功能与特色: 优点: 应用: | ||
| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| 风险等级： | 5.68 | 其他特性： | AVALANCHE RATED |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 200 mJ | 外壳连接： | ISOLATED |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 1000 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 2.5 A | 最大漏极电流 (ID)： | 2.5 A |
| 最大漏源导通电阻： | 3.3 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-220AB | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 57 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 8 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IXFP4N100Q | IXYS |
获取价格 |
HiPerFET Power MOSFETs Q-Class |
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| IXFP4N100Q | LITTELFUSE |
获取价格 |
功能与特色: 应用: 优点: |
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| IXFP4N100QM | IXYS |
获取价格 |
HiPerFET Power MOSFET Q-Class |
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| IXFP4N100QM | LITTELFUSE |
获取价格 |
功能与特色: 应用: 优点: |
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| IXFP4N60P3 | LITTELFUSE |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, |
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| IXFP4N60P3 | IXYS |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 600V, 2.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
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| IXFP4N85X | IXYS |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, |
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| IXFP4N85X | LITTELFUSE |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, |
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| IXFP4N85XM | IXYS |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, |
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| IXFP4N85XM | LITTELFUSE |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, |
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