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IXFP4N100Q

更新时间： 2024-11-06 14:56:19

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力特 - LITTELFUSE		/
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IXFP4N100Q 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Not Recommended
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.73	其他特性：	AVALANCHE RATED
雪崩能效等级（Eas）：	700 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	1000 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	4 A	最大漏极电流 (ID)：	4 A
最大漏源导通电阻：	3 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-220AB	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	150 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	16 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	NO
端子面层：	Pure Tin (Sn)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

IXFP4N100Q 数据手册

HiperFET^TM

Power MOSFETs

Q-Class

V_DSS= 1000V

I_D25= 4A

R_DS(on)≤ 3.0Ω

IXFA4N100Q

IXFP4N100Q

N-Channel Enhancement Mode

Avalanche Rated

TO-263 AA (IXFA)

Fast Intrinsic Diode

Symbol

Test Conditions

Maximum Ratings

D (Tab)

V_DSS

V_DGR

T_J= 25°C to 150°C

T_J= 25°C to 150°C, R_GS= 1MΩ

1000

TO-220AB (IXFP)

V_GSS

V_GSM

Continuous

Transient

± 20

± 30

I_D25

I_DM

T_C= 25°C

T_C= 25°C, Pulse Width Limited by T_JM

D (Tab)

= Drain

I_A

E_AS

T_C= 25°C

700

dv/dt

P_D

I_S≤ I_DM, V_DD≤ V_DSS, T_J≤ 150°C

T_C= 25°C

V/ns

G = Gate

S = Source

Tab = Drain

150

T_J

T_JM

T_stg

-55 ... +150

150

-55 ... +150

°C

Features

T_L

T_SOLD

Maximum Lead Temperature for Soldering

Plastic Body for 10s

300

260

°C

^zInternational Standard Packages

^zAvalanche Rated

M_C

M_d

Mounting Force (TO-263)

Mounting Torque (TO-220)

10..65/2.2..14.6

1.13/10

Nm/lb.in.

^zFast Intrinsic Diode

^zLow Q_G

^zLow R_DS(on)

^zLow Drain-to-Tab Capacitance

^zLow Package Inductance

Weight

TO-263

TO-220

2.5

3.0

Advantages

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

(T_J= 25°C, Unless Otherwise Specified)

Min.

1000

2.5

Typ.

Max.

High Power Density

Easy to Mount

Space Savings

BV_DSS

V_GS(th)

I_GSS

V_GS= 0V, I_D= 1mA

V_DS= V_GS, I_D= 1.5mA

V_GS= ± 20V, V_DS= 0V

V_DS= V_DSS, V_GS= 0V

4.5

± 100 nA

Applications

I_DSS

50 μA

1 mA

T_J= 125°C

DC-DC Converters

Battery Chargers

Switch-Mode and Resonant-Mode

R_DS(on)

V_GS= 10V, I_D= 0.5 • I_D25, Note 1

3.0

Power Supplies

DC Choppers

Temperature and Lighting Controls

DS98705B(04/11)

12 3 4 5

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXFP4N100QM	IXYS	获取价格	HiPerFET Power MOSFET Q-Class
IXFP4N100QM	LITTELFUSE	获取价格	功能与特色: 应用: 优点:
IXFP4N60P3	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IXFP4N60P3	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 600V, 2.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal
IXFP4N85X	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IXFP4N85X	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IXFP4N85XM	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IXFP4N85XM	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IXFP50N20X3	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IXFP50N20X3M	LITTELFUSE	获取价格	超级结MOSFET采用电荷补偿原理和专有工艺技术开发，可提供出类拔萃的质量因数（导通电阻乘

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